TTL门电路的改进.pptVIP

2-3 TTL门电路的改进 一、简易TTL门的缺点 抗干扰能力太小 负载能力太弱 速度慢 要改进之处： 提高静态参数，能稳定工作 提高速度×功耗（优值） 二、五管单元电路 三、六管单元电路 四、STTL和LSTTL电路 2、肖特基势垒二极管（SBD）的抗饱和作用 SBD:利用金-半接触势垒的整流特性制成 特点 ： A:正向压降低：为0.3～0.4V （0.7V） B:开关时间短： SBD是多子导电器件，反向恢复时间1ns （30ns） C:反向击穿电压高：达20－30V（6V） D:反向漏电流大，为1uA 3、 SBD三极管制作：在基极和集电极间并接一个SBD，就形成了SBD三极管 4、抗饱和原理 当NPN管工作在正向有源区或截止区时，bc结反偏，SBD截止，并不影响晶体管的工作 当NPN管饱和时，其集电结正偏，饱和越深，正偏越厉害。如果超过了SBD的阈值，SBD导通，于是基极驱动电流被分流，直接进入集电极。同时，BC结电压将被箝位在SBD的阈值电压，这使晶体管不可能深饱和。 若NPN管反向应用，则SBD使之集电结电压为0.3～0.4V，因此， β反必然下降，这对减小IiH也是有利的。 5、STTL电路 把六管单元电路中可能进入饱和的NPN管都加上SBD，就构成了STTL电路。 T4不会饱和，没有必要加。 优点： 速度↑ 多射极管的反向漏电流↓ 寄生PNP管效应↓ 缺点： VOL↑ SBD漏电流较大，使bc结漏电流↑ 集电结电容↑ 工艺要求较高，成品率↓ 功耗 ICCL ICCH 2-4 TTL门电路的逻辑扩展 前面讲了TTL门电路的基本单元是与非门，扩展后可构成其他门电路，扩展的方法有二种： 1、将“与非门”直接级连进行扩展。 2、在与非门内部进行扩展 一、非门 又称为反相器，A F， F＝A，显然单输入端的与非 门就是非门。 二、与门 与非门再加一级反相器，F＝AB＝AB， 五、异或门： AB相同为低，相异为高 F=AB+AB=A + B 变换后 F=AB+A+B 可由一个与门，一个或非门再进行一次或非构成 六、OC门： （集电极开路门） 七、三态门： 在原有两种输出状态的 基础上，增加一个高阻态。 * 在输入管和输出管之间增加了R2，T2，R3 ，这使T5的基极电流得到提高 用T3，T4，R4，R5组成的射随器作为T5的集电极负载 T2的发射结相当于一个起电平位移作用的二极管，理论上可使VNML提高一个结压降，但由于R3的存在，VNML并不能增加0.7V 当IR2·R2大到一定程度时，VOH就不符合要求了（BC段） 这表明Vi不可能太高，即ViL不可能达到1.3～1.4V 另外，R3在导通瞬间分流了部分IE2，使下降时间延长 特点：用Rb，RC，T6组成的有源泄放网络取代R3。 从T1的集电极到地至少经过两个PN结，因此，ViL提高到1.3～1.4V，使VNML上升到1.0～1.1V，使BC段消失，传输曲线接近矩形。 T6的导通和截止都比T5晚，加速了T5的导通和截止，使电路速度提高。 浅饱和电路。 1、提高TTL电路速度的关键： 增加基极驱动电流，又要降低饱和深度 它们是矛盾的：IB5↑→T5迅速饱和→导通延迟时间↓ →存贮电荷↑→截止延迟时间↑ 如掺金→空穴寿命↓→存贮时间↓→β↓→漏电流↑ 6、LSTTL电路 电路结构： 输入级 中间级 输出级 输入级 优点： a、SBD是多子器件，导通电压 低，比多发射管更快 b、SBD反向漏电流比多发射管 的输入漏电流小得多 c、SBD反向击穿电压在10V以上， 不用的输入端可接到VCC上 缺点：少了一个PN结（BC结），低电 平抗干