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概要 保护电路基本构成 各元器件简要介绍 保护电路工作原理 保护电路的附加功能 保护电路的最新发展 保护电路基本构成 贴片电阻、贴片电容、场效应管、保护IC 另外有的有热敏电阻、识别电阻（或识别IC 、保险丝等。 元器件简要介绍 元器件简要介绍---贴片电阻 基本参数有封装尺寸、额定功率、阻值、允许偏差等。 1、封装及功率：表示电阻的尺寸大小，表示方法有两种：EIA（美国电子工业协会）代码，用4位数字表示，以英寸为单位表示长和宽及米制代码，也是用4位数字表示，以毫米为单位表示长和宽，下表为7种电阻尺寸代码及功率。 元器件简要介绍---贴片电阻 2、 阻值及允许偏差：贴片电阻表面上用三位 数字表示阻值，其中第一、二位为有效数字，第 三位数字表示后接零的数目，有小数点时用“R”来 表示，并占一位有效位数，如511是51×101 510R。2R2 2.2R；允许偏差：F档表示1﹪；J档表示5 ﹪；K档表示10﹪。 元器件简要介绍---贴片电容 基本参数：封装尺寸、耐压、容值、允许偏差、材质、阻抗等 1、封装尺寸：其尺寸代码与贴片电阻相同。 2、耐压：不同容值、不同封装、不同偏差的电容厂家能做到的耐压值也不相同。一般容值越低，耐压值越高；封装尺寸越大耐压值也越高；偏差越大耐压值越高。 3、容值与允许偏差：容值表示方法与电阻类似，如0R5表示0.5PF,104表示100000PF即0.1UF；允许偏差表示方法也与电阻类似，F档表示1﹪；J档表示5﹪；K档表示10﹪；M档表示20﹪； Z档表示+80,-20﹪。 4、材质：COG NPO 容值精度为5﹪； X5R X7R 容值精度为10﹪；Y5V容值精度为20﹪；Z5U容值精度为+80,-20﹪ ； 元器件简要介绍---热敏电阻 有PTC POSITIVE TEMPERATURE COEFFICENT 正温度系 数，如过流保护器；NTC NEGATIVE TEMPERATURE COEFFICENT 负温度系数两种。NTC基本参数有封装尺寸、阻值、允许偏 差，B常数、B值偏差等。 NTC阻值随温度呈非线性变化，NTC热敏电阻的阻值随温度的变化函数如下式： R25C是热敏电阻在室温下的阻值，β是热敏电阻材料的开尔文 Kelvins 常数，T是热敏电阻的实际摄氏温度。 元器件简要介绍---保险丝 元器件简要介绍---场效应管 缩写为FET，电压控制器件，可通过改变输入电压来改变输入电流，有N沟道与P沟道两种。基本参数封装、耐压、耐流、内阻等。 1、与三极管相比具有的优点：三极管电流控制器件，内阻较大，耗电很大，电流不可双向流动。 2、N沟道场效应管与P沟道场效应管相比：N沟道高电平导通，内阻较小，价格较低；P沟道低电平导通，内阻较大，价格较高。 3、耐压：指栅源间耐压VGSS与漏源间耐压VDSS。 4、耐流：指场效应管导通时可流过场效应管D、S间的最大电流，有恒流耐流与脉冲电流两种。 5、内阻：指场效应管导通时不同电压、电流下D、S间的内阻，电压越高时，内阻越低；电流越大，内阻越高。 6、保护电路中，单双节保护电路用N沟道场效应管，多节用P沟道。 元器件简要介绍---保护IC 保护电路工作原理---应用电路图 保护电路工作原理---IC内部框图 保护电路工作原理---特点 1、每种保护只关断一个场效应管。 关断具体场效应管为：过充保护---过充场效应管 过放保护---过放场效应管 过流保护---过放场效应管 短路保护---过放场效应管 2、每种保护关断时都经过一定的延时以避免误动作。其中过充保护延时是通过改变外部电容容值来设置延时的，其它保护延时是内置的。 保护电路工作原理---两参数确定 1、过充电保护延时：计算公式为： tVdet1[sec] C3[F]X Vdd V -0.7 / 0.48X10-6 式中：Vdd为保护IC的过充电检测电压值。 简便计算：延时时间 C3（UF）/0.01UFX77ms 如若C3容值为0.22UF,则延时值为0.22/0.01X77 1694ms。严格计算还要考虑电容容值的偏差。 保护电路工作原理---两参数确定 2、过电流值的计算： 依据公式I U/R 式中I为所要计算的过电流检测值； U为保护IC的过电流检测电压值；R为保护电路中从B-~P-间的内阻值，具体来间说指的是保护IC的第6脚与R2外接P-处的内阻（大电流回路中MOSFET与PCB布线内阻之和）。 例如： 一个保护电路中保护IC检验电压为0.20V,R为40mR（MOS管内阻以3.8V左右计），则过电流检测电压值0.20V/40mR 5A 保护电路工作原理---外置延时优点 优点：过充电检测延时时间可以调