第2章_1_集成器件物理基础.ppt

资料 2015年有机“芯片”产品市场将达216亿美元 中国IC制造业：加速扩张仍需规避风险 美国国会就敏感技术出口中国公司问题引发争议 台韩面板厂今年资本支出大幅攀升 分析师担忧09年面板市况 2008年台湾IC产业产值可达1兆5860亿台币　较去年增长8.8% 中芯国际深圳建厂 建设两条集成电路芯片生产线加速产业布局 康宁扩充在台湾的LCD玻璃产能 将满足市场迅速增长需求 世强电讯与美新半导体正式签署分销合作协议 台积公司公布2008年1月营收报告 较去年同期增加了45.3% 恩智浦与Thomson合并CAN调谐器模块业务 成立一家合资企业 2007年DRAM供货商营收表现远逊于前年 预期今年市场规模也将缩减 2008年全球DRAM厂全面调降资本支出计划 占营收比重跌至44% 项目搁浅推迟 2008年晶圆厂设备支出将下滑15％ 美商First Solar领军让薄膜太阳能再度反弹 台系薄膜厂受青睐 太阳能业务强劲增长 应用材料劲升7%以上 日立逐渐退出半导体制造领域 新加坡8英寸晶圆厂被收购 东芝计划投资数十亿发展NAND产业 在日本建立两座NAND芯片工厂 英特尔：闪存替代产品全新PCM芯片将进入全面量产阶段 第2章 集成器件物理基础 2.1 半导体及其能带模型 1、半导体及其共价键结构 (1).半导体材料 元素半导体 硅(Si)、锗(Ge) 化合物半导体:砷化镓(GaAs)、铝镓砷(AlGaAs)、铟镓砷(InGaAs) (2) 掺杂对半导体电导率的影响 室温下纯硅的电阻率为：2.14×105 Ω .cm 半导体导电特性与导体和绝缘体相比,有其独特的性质。 杂质原子的含量对半导体材料的导电性能起决定性作用。 通过掺杂改变其导电能力,从而制成各种器件。 2.几种常用元素的原子结构 常用的半导体材料有元素半导体和化合物半导体两类：硅、锗、砷化镓、磷化铟等 硅是人类迄今研究最深入、了解最清楚的物质。 现在人类提取的最纯的材料是硅，人类制取的最大单晶材料也是硅。 硅的生长采用直拉（CZ，切克劳基）单晶或区熔单晶，前者占主导地位 硅的原子结构 硅的晶体结构:具有金刚石晶格结构,由两个面心立方晶格套合而成. 3.硅晶体中的共价键 4 单晶和多晶 5 半导体的导电机构 (1)热激发 在一定温度下，晶体中的价电子虽然是处于共价键的束缚中，但同时也在键中不断做热运动。 本征半导体硅导电能力很差，内部自由电子很少，但是束缚力很弱。 价电子存在热运动，一部分有较大能量，冲破束缚变成自由电子，并破坏共价键，留下一个电子空位，称热激发过程。 价电子所需的最小能量称为激活能。 如有外加电场，热激发产生的自由电子会形成定向运动，形成电流。 （2）空穴 电子被激发成自由电子，破坏了电中性，相当于空位带一个正电荷。 电子能量相近，邻近共价键上的电子可来填充，相当于空位的反向移动。这个过程持续下去，相当于空位在晶体中运动。 在有外电场时，价电子将逆电场方向填补空位，是定向运动，相当于带正电的空位沿电场运动，形成电流。 带正电的空位可看成是带正电荷的粒子，称之为“空穴”。 （3）半导体中的载流子 电子和空穴统称为载流子． 对于本征半导体来说，产生一定数量的自由电子-空穴对，它们的浓度必定相等，ni=pi。 2.1.2 半导体的能带模型 1.能带和能级 原子能级：电子分层绕核运动，各层轨道上运动的电子具有一定能量，这些能量不连续，只能取某些固定数值，称为能级。 晶体中的能带：当原子组成晶体时，根据量子力学原理，单个原子中的能级都要发生分裂： （2）.固体的能带 能带也是一系列能级组成的，但由于如此多，间隔很小，因此可以认为是连续的。 绝缘体的Eg：5~10ev Si: 1.12ev, Ge: 0.67ev, GaAs: 1.43ev SiO2: 8ev （3） 价带、禁带、导带 3 绝缘体、半导体的金属的能带 1eV=1.60×10-19J 一般绝缘体的禁带宽度Eg为6~10eV 禁带宽度Eg随温度T而变： Si: Eg=1.205-0.28?10-3T Ge: Eg=0.785-2.23 ? 10-4T 砷化镓禁带宽度 Ea (T)=Ea(0)-aT2 /(b+T) 式中， Ea (0)=1.519eV，a=5.405×10-4cV／K， b=204K， T为绝对温度。 T为绝对温度，k为玻尔兹曼常数（其值为8.62×10-6ev/k) 当E-EF是KT的４倍以上时，可以用玻尔兹曼分布代替费米分布 费米能级的含义 2.2 半导体的导电性 2.2.1 本征半导体 首先讨论没有杂质和缺陷的纯净半导体材料，其导电特性取决于其本身固有特征，称为本征半导体。 1.产生和复合的动态平衡 产生：一定温度下，由