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2017-08-21 发布于河北
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金属有机化学气相沉积W薄膜.pdf

29 5 粉末冶金技术 Vol. 29 ，No. 5 第卷第期 2011 10 Powder Metallurgy Technology Oct. 2011 年月 * W 金属有机化学气相沉积薄膜 1)，2) 1) 1) 2) 1) 2) 李一＊＊李金普贾成厂柳学全李发长李楠 1)( ， 100083) 北京科技大学材料科学与工程学院北京 2)( ， 100081) 钢铁研究总院粉末冶金研究室北京 : W (CO) ， (MOCVD) Cu W 摘要以 6 为前驱体采用金属有机化学气相沉积法在基体表面进行了沉积薄。 W (CO) 、W (CO) ( ) ，膜的研究通过调整 6 热解温度 6 气化温度及载气高纯氢气的流量等工艺参数成功制备、 W ; ，了均匀致密的薄膜研究了沉积速率与上述参数之间的关系并得出了在本试验条件下应用金属有机化 (MOCVD) W : 320 ～ 380℃ ， 160 ～ 200ml / min 。学气相沉积法制备薄膜的最佳工艺参数热解温度为载气流量为 : (MOCVD); (W (CO)); 关键词金属有机化学气相沉积六羰基钨 6 薄膜 A research on the technique for tungsten films by metal-organic chemical vapor deposition 1)，2) 1) 1) 2) 1) 2) Li Yi ＊＊，Li Jinpu ，Jia Chengchang ，Liu Xuequan ，Li Fachang ，Li Nan 1)(School of Materials Science and Engineering ，University of Science and Technology Beijing ，Beijing 100083 ，China) 2)(Powder Metallurgy Laboratory ，Genaral Research Institute for Iron and S