高压微功耗电源芯片的设计.pdfVIP

第32卷第 3期 番纂；谶麟瓣遁瓣鎏 V01．32 No．3 2014年9月 J1CHENGDIANLUTONGXUN Sep．2014 高压微功耗电源芯片的设计 白 涛 (北方通用电子集团有限公司微 电子部 苏州 215163) 摘 要 ：依据上华 CSMClp,m25V工艺设计 了一款高压微功耗 LDO电源芯片。芯片采用缓冲级 (buffer)的动态减小阻抗技术和级联密勒补偿方法，使 LDO在全负载电流范围内，单位增益带宽内只有 一 个极点，在没有使用左半平面零点补偿的基础上，可保证LDO的相位裕度，实现 了LDO良好的频率 稳定性。LDO空载电流仅为51．~A，芯片面积仅为0．9mm ×0．9mm。 关键词：LDO；高压低功耗；缓冲级；密勒补偿 ；频率稳定性 网络 Rn和 R 。 1 引 言 随着电源系统设计技术的不断创新与发展， 线性稳压器越来越受到人们的青睐。使用 NPN 达林顿管做导通器件 的线性稳压器已经逐渐退出 市场 ，它们被性能更好的新型低压差线性稳压器 LDO(LowDropoutLinearRegulator)所取代。新一 代的LDO线性稳压器具有结构简单、低成本、低 功耗、低噪声和高电源抑制比等特性，在便携式产 品中成为极具竞争力的电源解决方案之一。 图 1 LDO原理 图 当LDO的负载较轻时，其较高的输出阻抗和 较大的负载电容会在输出产生一个低频极点。该 2．1 低功耗电压参考源 (voltagereference) 输出极点会随着LDO负载电流的变化而向高频 基准电压源是模拟电路中广泛应用的一个关 或低频移动，若补偿不当，会影响整个 LDO环路 键模块，可提供高精度、高稳定性的基准电压。其 的稳定性 。 应用非常广泛，比如数模转换器、传感器、电源控 本文提出了一种基于缓冲级 (buffer)的动态 制管理器和各种高精度测量仪表中。其精度直接 减小输出阻抗技术，它可以在牺牲很小的功耗电 影响到LDO的性能。 流下，把功率管MP栅极处的极点推到高频，即远 MP7、MP8、MN3、MN6和 R4构成带隙基准的 高于单位增益带宽；同时，采用级联 (cascode)密勒 启动电路。 补偿技术，使LDO在全负载电流范围内，单位增益 低功耗设计需使启动电路在带隙稳定后全部 带宽内只有一个极点，因此，在没有使用左半平面 关闭，但这只能应用于低压的环境。随着电压的 零点补偿 的基础上，即可保证 LDO的相位裕度。 升高，启动电路会逐渐开启。因此，要严格限制启 动电路的电流。 2 电路设计 为了保证带隙基准的环路增益 、改善沟道调 LDO电路原理如图 1所示，它通常包括基准 制效应和高压应用，选用4层共源共栅结构，如图 电压源、误差放大器、缓冲器、功率管和反馈电阻 2所示 ，MN1和 MN2，MN4和MN5，MP2和 MP3， 燕纂 第32卷第3期 输出极点Pl(位于Nl处)、功率驱动管MP栅处的 极点(位于N2处)和输出极点Po(位于输