模拟电子技术第一章二极管.pptVIP

多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动，如图所示。 1. PN结的形成 ： P型和N型半导体交界处载流子的扩散 由于空穴和自由电子均是带电的粒子，所以扩散的结果使P区和N区原来的电中性被破坏，在交界面的两侧形成一个不能移动的带异性电荷的离子层，称此离子层为空间电荷区，这就是所谓的PN结。 * 第1章 半导体二极管及其应用电路 1.1.1 半导体的基础知识 1.半导体的特性： 固体按导电能力可分为三类 导体： 绝缘体： 半导体： 如：金、银、铜、铝等 如：云母、陶瓷等 如：硅Si、锗Ge、砷化镍等 半导体的特性：导电能力介于导体和绝缘体之间，具有热敏、光敏和参杂特性，即杂质、温度、光照对ρ影响较大。 1. 1 PN结 2. 半导体的共价键结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 空穴：带单 位正电荷 自由电子：带单位负电荷 1、定义：完全纯净、结构完整的单晶半导体，称为本征半导体。 2、Si、Ge原子结构模型： +14 Si +32 Ge +4 价电子 惯性核 本征半导体 硅和锗的原子结构和共价键结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成，称为束缚电子。 空穴：带单位正电荷 自由电子： 带单位负电荷 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴： 带单位正电荷 自由电子： 带单位负电荷 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴： 带单位正电荷 自由电子： 带单位负电荷 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴带单位正电荷 自由电子 带单位负电荷 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴也是一种载流子 自由电子 空穴 存在两种载流子 在外电场作用下电子、空穴运动方向相反，但形成的电流方向相同。 本征激发：是本征半导体受外界能量激发，同时产 生电子、空穴对的过程。 (1) T=0K，且无外界能量激发时，价电子全部束缚在共价键中，无自由电子。此时的本征半导体相当于绝缘体。 本征激发 (2)当T (or光照) 价电子获得能量 本征激发和两种载流子：——自由电子和空穴 温度越高，半导体材料中产生的自由电子便越多。束缚电子脱离共价键成为自由电子后，在原来的位置留有一个空位，称此空位为空穴。 本征半导体中，自由电子和空穴成对出现，数目相同。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 本征激发产生自由电子和空穴对： 自由电子和空穴成对出现 空穴出现以后，邻近的束缚电子可能获取足够的能量来填补这个空穴，而在这个束缚电子的位置又出现一个新的空位，另一个束缚电子又会填补这个新的空位，这样就形成束缚电子填补空穴的运动。为了区别自由电子的运动，称此束缚电子填补空穴的运动为空穴运动。 束缚电子填补空穴的运动 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 复 合 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 复 合 (1)本征激发 自由电子 空穴 (2) 空穴 自由电子 随机碰撞 复合 空穴消失 自由电子 (3) 本征激发 复合 本征半导体中的自由电子浓度ni空穴浓度pi总是相等的 温度 ni pi 导电能力 可制作热敏元件 影响半导体器件的稳定性 光照 ni pi 导电能力 可制作光电元件 结 论 （1）半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。 （2）本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。 （3）一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 （4）温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 1、定义：人为掺入一定杂质成份的半导体称杂质半导体。 3. 杂质半导体 N型半导体（掺入5价元素杂质） P型半导体（掺入3价元素杂质） 2、分类： 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 在本征半导体中掺入5价的杂质（砷、磷、锑）就成为N型半导体