第三章_场效应管及其放大电路.pptVIP

各类场效应管工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 不同FET类型对偏置电压的要求 双极型和场效应型三级管的比较 双极型和场效应型三级管的比较 【例1】 【例2】 【例3】 二、场效应管线性与开关 用作放大器 用作可控开关 用作压控电阻 第四章 集成电路中的电子器件 1 复合管 2 多发射极管和多集电极管 3 肖特基三极管 1、复合管 复合管的组成：两个或两个以上管子合理连接等效成一只管子。 场效应管的特点： 1. 场效应管是电压控制元件； 2. 栅极几乎不取用电流，输入电阻非常高； 3. 一种极性的载流子导电，噪声小，受外界温度及辐射影响小； 4. 制造工艺简单，有利于大规模集成； 5. 跨导较小，电压放大倍数一般比三极管低。 3.3 场效应管的主要参数 IDSS是耗尽型和结型场效应管的一个重要参数, 它的定义是当栅源之间的电压UGS等于零, 而漏、源之间的电压UDS大于夹断电压UP时对应的漏极电流。 3.3.1 直流参数 1. 饱和漏极电流IDSS 2. 夹断电压UP  UP也是耗尽型和结型场效应管的重要参数, 其定义为当UDS一定时,使ID减小到某一个微小电流(如1μA, 50μA)时所需的UGS值。  UT是增强型场效应管的重要参数, 它的定义是当UDS一定时, 漏极电流ID达到某一数值(例如10μA)时所需加的UGS值。 ? 3. 开启电压UT 4. 直流输入电阻RGS RGS是栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比。由于栅极几乎不索取电流, 因此输入电阻很高。 结型为106 Ω以上, MOS管可达1010Ω以上。  3.3.2 交流参数 跨导gm的单位是mA/V。它的值可由转移特性或输出特性求得。 1. 低频跨导gm 2. 极间电容 场效应管三个电极之间的电容,包括CGS、CGD和CDS。这些极间电容愈小, 则管子的高频性能愈好。 一般为几个pF。 3.3.3 极限参数 1.漏极最大允许耗散功率PDm PDm与ID、UDS有如下关系: 这部分功率将转化为热能, 使管子的温度升高。PDm决定于场效应管允许的最高温升。  2.漏、源间击穿电压BUDS 在场效应管输出特性曲线上, 当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。工作时外加在漏、源之间的电压不得超过此值。 3. 栅源间击穿电压BUGS 结型场效应管正常工作时, 栅、源之间的PN结处于反向偏置状态, 若UGS过高, PN结将被击穿。 三种基本组态：共源(CS)、共漏(CD)和共栅(CG) 场效应管组成放大电路的原则和方法与三极管相同：为使场效应管正常工作，各电极间必须加上合适的偏置电压；为了实现不失真放大，也同样需要设置合适且稳定的静态工作点。 场效应管是一种电压控制器件，只需提供栅偏压，而不需要提供栅极电流，所以它的偏置电路有其自身的特点。 二、场效应管放大电路 1）基本共源极放大电路 图 3.15　共源极放大电路原理电路 VDD + uO ? iD VT ~ + ? uI VGG RG S D G RD 与双极型三极管对应关系 b ? G , e ? S , c ? D 　　为了使场效应管工作在恒流区实现放大作用，应满足： 　　图示电路为 N 沟道增强型 MOS 场效应管组成的放大电路。 (UT：开启电压) 一、静态分析 VDD + uO ? iD VT ~ + ? uI VGG RG S D G RD 图 3.15　共源极放大电路原理电路 两种方法 近似估算法 图解法 (一) 近似估算法 　　MOS 管栅极电流为零，当 uI = 0 时 UGSQ = VGG 而 iD 与 uGS 之间近似满足 (当 uGS UT) 式中 IDO 为 uGS = 2UT 时的值。 则静态漏极电流为 (二) 图解法 图 3.7.4　用图解法分析共源极放大电路的 Q 点 VDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS = VDD - iDRD 画出直流负载线。 图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。 图 3.16 场效应管共源放大电路 2. 自给偏压电路 由正电源获得负偏压 称为自给偏压 哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？ +VDD uO uI Rg Rd Rs RL 图 3.17分压偏置式共源放大电路 3　分压—自偏压式共源放大电路 一、静态分析 (一)近似估算法 根据输入回路列方程 图 3.17　分压 - 自偏式共源放大电路 + ? VT + RG S D G RD