电路基础与集成电子技术电子教案与习题解答蔡惟铮 第4章 半导体二极管和晶体管 4.6 双极型半导体晶体管.pptVIP

4.6.2 双极型晶体管的电流分配关系 4.6.4 晶体管的特性曲线 这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB是输入电流，uBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，uCE是输出电压，从C、E两电极取出。 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和uBE之间的函数关系。因为有集电极电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除uCE变化的影响，在讨论输入特性曲线时，应使uCE const 常数 。 共发射极接法的输入特性曲线见图4.6.4。其中UCE 0V 的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当UCE≥1V时， 特性曲线将向右稍微移 动一些。但UCE再增加时， 曲线右移很不明显。 共发射极接法的输出特性曲线是以IB为参变量的一族特 性曲线。 运动到集电结的电子基本上 都可以被集电区收集，此后 UCE再增加，电流也没有明 显的增加，特性曲线进入与 UCE轴基本平行的区域 。 输出特性曲线可以分为三个区域: 晶体管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 1. 集电极最大允许电流ICM 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。可见，当IC＞ICM时，并不表示晶体管会损坏。但电流放大能力明显减弱。 集电极电流通过集电结时所产生的功耗 PCM ICUCB≈ICUCE， 因发射结正偏， 呈低阻，所以功耗主 要集中在集电结上。 在计算时往往用UCE 取代UCB。 反向击穿电压表示晶体管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图4.6.7所示。 1.U BR CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标 BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB代表集电极和 基极，O代表第三个电极E开路。 双极型晶体管的参数 4.6.6 晶体管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 双极型晶体管管 场效应晶体管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS β 电压控制电流源VCCS gm 双极型晶体管 场效应晶体管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 将P型和N型半导体紧密结合在一起，在它们的交界面处，发生两种形式载流子的运动，即多子的扩散运动和少子的漂移运动，它们达到动态平衡时，形成稳定的空间电荷区，即PN结。PN结的最主要特性就是单向导电性。 4. 二极管的伏安特性曲线分为正向和反向两个区域，当正向电压小于开启电压时，流过二极管的电流近似为0；随后，UD稍有增加，电流ID迅速增加。在特性的反向区，反向电流等于反向饱和电流，但当反向电压达到击穿电压值时，二极管发生反向击穿。击穿后，电流在很大范围内变化时，反向击穿电压几乎不变，利用这一特性可以制成硅稳压管。 二极管是非线性元件，在分析含二极管的电路时，常用某种模型代替，主要有开关模型、固定正向电压降模型、折线化模型和小信号模型。不同的应用场合应使用不同的模型。 二极管的主要参数有最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压URM 、反向电流IR 和正向压降UF 等。 7. 场效应管为电压控制电流源器件 VCCS 。即用栅源电压来控制沟道宽度，改变漏极电流。场效应管为单极型器件，仅一种载流子 多子 导电，热稳定性好。场效应管有结型和绝缘栅型两种结构，每种又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅型场效应管（MOSFET）又分为增强型和耗尽型两种形式。 场效应管的漏极特性曲线可分为可变电阻区、截止区和恒流区，在放大电路中，应使其工作在恒流区。场效应管的参数也分为直流参数 UGS th 或 UGS off 、IDSS 交流参数 gm 和极限参数 IDM、PDM 三类。跨导gm反映了场效应管的电压控制作用。 为保证晶体管工作在放大状态，应使其发射结正偏，集电结反偏。晶体管的参数主要分为直流参数、交流参数和极限参数三类。 10. 双极型半导体晶体管（BJT）有两种载流子参与导电，属电流控制电流源器件（CCCS），BJT有NPN和PNP两种结构类型。其工艺特点为：基区极薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电区掺杂浓度低。晶体管的输出特性曲线可以分为饱和、截止、放大三个区