计算机电路基础电子教案 第3章.pptVIP

* 由于热激发而 产生的自由电子 自由电子移走后 而留下的空穴 图3-1 电子、空穴对的产生 邻近电子只空位 留下可移动空穴 可移动的空穴 杂质原电子接受一个 电子成为负离子 图3-2 P型半导体的共价键结构 杂质原子提供 的多余电子 杂质原子失去一个 电子成为正离子 图3-3 N型半导体的共价键结构 P型区 空间 电荷区 N型区 内电场 图3-4 PN结的形成 外电场 1 2 2 1 IF UF 1′2′ 2′ 1′ 内电场 外电场 2 1 1 2 IR UF 2′1′ 1′2′ 内电场 P N P N ? 图3-5　PN结加正向电压 图3-6　PN结加反向电压 图3-7 半导体二极管的结构及符号 （a）点接触型；（b）面接触型；（c）平面型；（d）符号 阳极 N型锗片 阴极 引线 引线 阳极 阴极 引线 引线 阳极a k阴极 阳极引线 PN结 金锑合金 底座 阴极引线 (a) 触丝 外壳 铝合金小球 （b） N型硅 P N P型支持衬底 （c） （d） 阳极a k阴极 90℃ 20℃ -60℃ iD/mA 20 15 10 5 0 -60 -40 -20 0.2 0.4 0.6 ① uD/V ② ③ -10 -20 -30 -40 iD/?A iD/mA uD/V -60℃ 90℃ 20℃ ?图3-8 锗二极管2AP15的伏安特性 图3-9 温度对二极管伏安特性的影响 a + - k ΔuZ uZ iZ/mA uZ/V A C ΔiZ O （a） （b） 图3-10 稳压管的电气符号与伏安特性 （a）符号；（b）伏安特性 RL iO(iL) R iZ iR uo + - + - VDZ ui 图3-11 简单的稳压电路 （a） （b） （c） c集电极 集电结 发射结 N 集电区 P 基区 N 发射区 发射极 e b e c b e c 图3-12 三极管的结构与符号 （a）NPN型BJT结构示意图；（b）NPN型BJT符号；（c）PNP型BJT符号 b c c e b b c e (a) (b) (c) V V V 图3-13 三极管在放大电路中的三种连接方式 （a）共基极；（b）共发射极；（c）共集电极 c IB IB b UCE N P N UBE IE 图3-14 NPN管共射电路接法 c b IE e V IC IB UBE c b e V IC IB UBE UCE UCE IE 图3-15 两种晶体管电路接法的区别 （a）NPN型管；（b）PNP型管 iR/?A c b IE e V IC IB UBB UCE RB RC 80 60 40 20 0 0.2 0.4 0.6 0.8 uBE/V uCE=0V uCE≥1V 25℃ iC/mA 4 3 2.3 2 1.5 1 0 2 4 6 8 uBE/V iB=20 ?A 25℃ 饱和区 放大区 100 60 40 截止区 ΔiC ΔiB 80 Q （a） （b） （c） 图3-16 NPN管的共射极特性曲线 （a）电路图；（b）输入特性曲线；（c）输出特性曲线 d（漏极） 耗尽层 N型沟道 P P g（栅极） s（源极） g s g s d d （a） （b） （c） 图3-17 结型场效应管的结构示意图和符号 （a）N型结型场效应管的结构；（b）N型的符号；（c）P型的符号