物理实验指导书：霍尔效应测量磁场.docVIP

霍尔效应测量磁场 一、实验目的 1．了解霍尔效应的物理意义。 2．学会用霍尔元件测量磁场的方法。 二、实验仪器 霍尔效应实验仪HL-4、　霍尔效应测试仪HL—5 三、实验原理 如图1所示，设霍尔元件是由均匀的N型(即载流子是电子)半导体材料做成的，其长为L，宽为b， 厚为d。如果在4、3两端按图所示加一稳定电压，则有恒定电流I沿X轴方向通过霍尔元件。若在Z方向加上恒定磁场B，沿负X轴上以速度v运动的电子就受到洛伦兹力fB的作用。则洛伦兹力fB的大小为 　　　　fB=eB (1) fB的方向指向负Y轴。于是，霍尔元件内部的电子沿着虚曲线运动并聚积在下方平面，随着电子向下偏移，上方平面剩余正电荷，结果形成一个上正下负的电场E，上下两个平面间具有电位差UH，这个现象是霍尔1879年发现的，故称为霍尔效应，UH被称为霍尔电压。电场E对载流子产生一方向和fB相反的静电力fE，其大小为 fE=eE=e （2） 当上下两个平面聚积的电荷产生电场对电子的静电作用力fE与洛伦兹力FB相等时，电子就能无偏离地从右向左通过半导体。此时有如下关系 fE=fB 即 e= eB 于是l、2两点间的电位差为 我们知道，工作电流I与载流子电荷e、载流子浓度n、迁移速率v及霍尔元件的截面积bd之间的关系为I=nebd，则 UH==KIB (3) 式中K=1／(end)，叫做该霍尔元件的灵敏度。同理，如果霍尔元件是P型(即载流子是空穴)半导体材料制成的，则K=1／(epd)，其中P为空穴浓度。式(3)中各量的单位是： UH用毫伏，I用毫安，B用特斯拉，则K的单位为毫伏／(毫安·特斯拉)。 由式(3)可知，霍尔电压UH正比于工作电流I和外加磁场B。显然，UH的方向既随着电流I的换向而换向，也随着磁场B的换向而换向。同时还可看出，霍尔电压UH与n、d有关，由于半导体内载流子浓度远比金属的载流子浓度小，故采用半导体作霍尔元件，并且将此元件做得很薄(一般d≈0.2mm)，以便获得易于观测的霍尔电压UH。 如果霍尔元件的灵敏度K已经测定，就可以利用式(3)来测量未知磁场B，即有 B= (4) 式中的I和UH需用仪表分别测量。为了准确测定磁场B的大小和方向，流经霍尔元件的工作电流要稳定，使霍尔元件XY垂直放入磁场B中。磁场B的方向由l、2两端电压的高低来决定。 半导体材料有N型(电子型)和P型(空穴型)两种，前者的载流子为电子，带负电；后者的载流子为空穴，相当于带正电的粒子。由图1可以看出，若载流子带正电，则所测出的UH极性为1高2低。若载流子带负电，则UH的极性为2高1低。所以，如果知道磁场方向，就可以确定载流子的类型。反之，如果知道载流子的类型，就可以判定磁场的方向。 应当指出：式(3)是在作了一些假定的理想情形下得到的。实际上测得的并不只是UH，还包括一些副效应带来的附加电压叠加在霍尔电压上，形成了测量中的系统误差，这些副效应有： (1)爱廷豪森效应 假定载流子(电子或空穴)都是以同一速度u在X轴上迁移。实际上载流子的速度有大有小，它们在磁场中所受到的作用力并不相等。速度大的载流子，绕大圆轨道运动；速度小的载流子，绕小圆轨道运动，导致霍尔元件上下两平面中，一个平面快载流子较多，因而温度较高；另一个平面慢载流子较多，温度也就较低。上下两平面之间的温度差引起2、l两端出现温差电压Uto不难看出，Ut既随B也随I的换向而换向。 (2)能斯特效应 由于两个电流引线3、4焊点处的电阻不同，通电后在两电极处发热程度不同，因而在 3、4间形成温度差，从而产生热扩散电流，这个电流在磁场作用下，也会在UH方向产生电势差Un，Un随B换向而换向，而与I换向无关。 (3)里纪—勒杜克效应 与能斯特效应类似，在1、2电极两端直接产生一温差电动势。 (4)不等位电势差 由于霍尔元件材料本身的不均匀，霍尔电极位置的不对称，即使不存在磁场，当I通过霍尔片时，1、2两极也会处在不同的等位面上。因此，霍尔元件存在着由于1、2电位不相等而产生附加电压Uo，Uo随I的换向而换向，与B的换向无关。 为了减小和消除这些附加电势，常利用这些电势差与电流I、磁场B方向的关系，通过改变I、B方向，将所测结果求和并取平均值，基本上可消除(2)、(3)、(4)效应带来的误差， (1)效应带来的附加电势差虽不能消除，但由于其影响很小，可以忽略。由于不等位电势差Uo的影响大，本实验将着重考虑如何消除U0的影响。 为了消除不等位电压UO，取电流