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第3章 存储器接口 3.1 概 述 3.2 主存储器 3.5 高速缓冲存储器 3.6 辅助存储器 2.98C64A的引脚98C64A芯片容量为8K×8bit,引脚如下图所示 3.98C64A的工作过程(1).数据读出: CE=0,OE=0,WE=1时,就可从选中的存储单元中将数据读出。(2).编程写入: 编程写入98C64A有两种方式:字节写入和自动页写入。字节写入方式一次写入一个字节的数据。每写一个字节,要等到READY/BUSY端的状态由低电平变为高电平后,才能开始下一个字节的写入。 98C64A的编程写入时序如下页图3-11.CE=0,OE=1时,在WE端加上100ns左右负脉冲,可将数据写入指定存储单元。 另一种编程方式称为自动页写入。它一次写完一页,每写完一页判断一次READY/BUSY端的状态。(3).擦除 擦除和写入是同一种操作,只不过擦除总是向单元中写入“FFH”。 4. EEPROM (多次性编程 ) 电可擦写 局部擦写 全部擦写 5. Flash Memory (快擦型存储器) 比 E2PROM快 EPROM 价格便宜 集成度高 EEPROM 电可擦洗重写 具备 RAM 功能 五、存储器与 CPU 的连接 1. 存储器容量的扩展 (1) 位扩展 (增加存储字长) 用 2片 1K × 4位 存储芯片组成 1K × 8位 的存储器 10根地址线 8根数据线 D D ?? ?? D 0 4 7 9 A A 0 ??? 2114 2114 CS WE 3.3 存储器接口电路半导体存储器分类 一:半导体存储器的特点。1.RAM的分类及特点(1)双极型RAM:存取速度高,集成度低,功耗大,成本 高(2)MOS型静态RAM:集成度、功耗介于双极型RAM与 动态RAM之间,不需要刷新(3)MOS型动态RAM的特点:必须定时刷新,集成度高, 功耗低,价格便宜2.ROM的分类及特点(1)掩膜型ROM:厂家写入,用户只读。(2)可编程PROM:用户可编程写入一次。(3)紫外光擦除可编程EPROM:可多次擦写,擦除须用紫 外光。(4)电可擦除的可编程EPROM(EPROM):可用电信号多 次擦写。二:半导体存储器的技术指标 1.存储容量存储器容量(S)=存储单元数(p)×数据位数(i)数据位数(i)一般等于芯片数据线的根数;而存储单元个数(p)与存储器芯片的地址线条数(k)有如下关系:p=2k。2.存取速度存取速度用二个指标来衡量:存取时间和存储周期。存取时间是指从CPU给出有效的存储器地址来启动一次存储器读写操作,到该操作完成所经历的时间。存储周期则是指连续两次访问存储器之间所需的最小时间间隔。存储周期等于存取时间加上存储器的恢复时间。3.3.1 静态读写存储器SRAM1.工作原理静态读写存储器(SRAM)存储单元的内部结构如图3-1所示,见下页: 图3-1 SRAM 存储单元的内部结构 2.SRAM芯片介绍6264是8K×8的SRAM芯片,其引脚如下图所示。 6116是2K×8芯片,其引脚如下图所示。 3.SRAM的读写时序存储器读周期时间tRC=读取时间tAA+读恢复时间tRS。二次读操作之间的时间间隔不应小于存储器读周期时间。存储器读时序图 存储器写周期的时序与读周期类似见下图。 写周期时间tWC=地址建立时间tAW+写入脉冲宽度tWP+恢复时 间tRS 3.3.2 动态读写存储器DRAM1.工作原理单管动态读写存储器的工作原理如下图所示。 2.DRAM芯片介绍2164A是容量为64K×1位的动态随机存储器芯片,其外部引脚如下图所示。 DRAM采用行地址和列地址来确定一个单元,相应片内地址划分为行地址和列地址两组,行列地址共用一组地址信号线分时传送。 2164A的数据线有二根:用于输入的Din和用于输出的Dout。 RAS为行地址选通信号,利用该信号将行地址锁存到芯片内部的行地址缓冲寄存器。 CAS为列地址选通信号。利用该信号将列地址锁存到芯片内部的列地址缓冲寄存器。 工作时地址总线上先送上行地址,后送上列地址,它们分别在RAS和CAS有效期间被锁存在锁存器中。3.DRAM芯片的读写过程 1.数据读出DRAM数据的读出时序如图3-2所示(见下页) 图3-22.数据写入 DRAM数据写入过程如图3-3所示(见下页)
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