电子技术与实训 教学课件 作者 刘陆平 第1章 常用半导体器件.ppt

第1章 常用半导体器件 本章学习目标 1.1 半导体的基本特性 1.2 PN结 1.3 半导体二极管 1.4 半导体三极管 1.5 场效应管 1.6 集成电路分类 第1章 常用半导体器件 本章学习目标 : 半导体的基本特性以及PN结的特点； 半导体二极管的结构、分类和伏安特性； 特殊二极管的特点和作用； 半导体三极管的基本结构、工作原理和特性曲线； 场效应管的结构、分类和主要参数； 集成电路的分类和简介。 1.1 半导体的基本特性 1.1.1 半导体的特点 半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，在外界温度升高、光照或掺入适量杂质时，它们的导电能力大大增强。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变。 因此半导体被用来制成热敏器件、光敏器件和半导体二极管、三极管、场效应管等电子元器件。 1.1 半导体的基本特性 1.1.2 本征半导体 化学成份完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。在绝对零度（T=－273oC）和没有外界激发时，价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子，不导电。当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化，往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 1.1 半导体的基本特性 在温度的作用下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。自由电子和空穴总是成对产生，自由电子带负电，空穴带正电。自由电子和空穴都是可以自由移动的载流子，如图1-1所示。 1.1 半导体的基本特性 1.1.3 掺杂半导体 在纯净的半导体中掺入适量杂质元素的半导体称为杂质半导体，如果掺入的是三价元素，称为P型半导体，P型半导体的空穴为多数载流子（简称多子），自由电子为少数载流子（简称少子）。如果掺入的是五价元素，称为N型半导体，N型半导体的自由电子为多子，空穴为少子。 P型半导体以空穴导电为主，N型半导体以自由电子导电为主。无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 1.2 PN结 1.2.1 PN结的形成 在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，在交界面附近因载流子浓度不同，形成扩散运动，多数载流子分别向异区扩散，结果在交界面处多数载流子因复合而耗尽形成空间电荷区，也叫耗尽层，又叫内电场，在内电场的作用下，少子载流子的运动叫漂移运动。当扩散和漂移这一对相反的运动最终速度相等，达到动态平衡时，空间电荷区的厚度固定不变，这个空间电荷区就叫PN结。 1.2 PN结 浓度差→多子扩散运动→复合→产生内电场→阻碍多子扩散→有利少子漂移运动→扩散运动和漂移运动达到动态平衡→形成一定宽度PN结，如图1-2所示。 PN结是构成半导体器件的基本单元。 1.2 PN结 1.2.2 PN结的单向导电性 1.加正向电压导通 PN结的P区接电源正极，N区接电源负极时，叫加正向偏置电压简称正偏。此时外加电压的外电场削弱了内电场，空间电荷区变窄，扩散运动加强，漂移运动减弱，扩散大于漂移，形成较大的正向电流，称为PN结正向导通，相当于开关闭合，等效电阻很小。 1.2 PN结 2.加反向电压截止 PN结的N区接电源正极，P区接电源负极时，叫加反向偏置电压简称反偏。此时外加电压的外电场加强了内电场，空间电荷区变宽，扩散运动减弱，漂移运动增强，漂移大于扩散。由于漂移运动是由少数载流子形成，数量很少，所以形成的反向电流很微弱，几乎可以忽略不计，此时称为PN结反向截止，相当于开关断开，等效电阻很大。但反向电流受温度的影响较大，温度升高时，半导体中少数载流子数目增加，反向电流增加。 1.3 半导体二极管 1.3.1 二极管的结构和分类 在PN结的P区和N区两侧各引出一根电极，加以封装，便形成半导体二极管，由P区引出的电极称为阳极或正极，由N区引出的电极称为阴极或负极。因PN结具有单向导电性，所以二极管具有单向导电性。如图1-3（a）、(b)、(c)所示为二极管的外形、基本结构示意图和符号。 二极管按结构不同，分为点接触型和面接触型。二极管按材料的不同，二极管分为硅管和锗管两种。按用途不同，二极管分为普通管、整流管、变容管、开关管和检波管等类型。 1.3 半导体二极管 1.3.2 二极管的伏安特性 二极管两端的电压U与流过二极管的电流I之间的关系曲线，称为二极管的伏安特性曲线。伏安特性是二极管的固有属性，如图1-4所示为二极管伏安特性关系曲线的一般形状。二极管伏安特性可分为正向特性和反向特性两部分。 1.3 半导体二极管 1.正向特性 当正向电压较小时，由于外加电场还