纳米掺杂SnO2计算研究.pdfVIP

纳米掺杂SnO。的计算研究 郑 冀，刘志勇，窦富起，王吉会 (天津大学材料科学与工程学院，天津300072) 一种包含离子键的共价键直接禁带半导体；通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质， 使其具有金属键性质，从而提高Sn02导电性。其中，掺杂比率为5％的价带到中间能级 宽度最小，掺杂原子与其邻近原子的电荷重叠区更明显，系统电子共有化程度最高，费 米能级处对电子态密度的贡献也最大，因此掺杂比率为5％的导电性最好。 关键词：第一性原理；Sn02；电子结构；掺杂 Calculationand of Sn02 StudyNano-doping ZHENGJi，LIU Ji-hui Zhi-yong，DOUFu·qi，WANG Scienceand TianJin (SchoolofMaterial University,