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- 2017-08-20 发布于安徽
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[2]S辨Detphl#E”cl的*4数据接口自动m技术与&用.2004
作者简介
Hn±*tjZ。
付广艳张宏亮剐群n冰沽
(沈88化工学疏机械工控学院110142)
[摘要]采用真空培炼方法制备Ni-20Cr--2
5A[旮盘
EO和NiCr:O.
蛆成.且内腐蚀区十有显的硫化曲生成。Crzq主要集中在氧化膜外馏.Al:O,主要集中在氧化膜自倒。
20Cr2
熔胨Nr 5Al台盎900℃和950C潦75wl%Na2SO.+25wt蹦K2SO.盐膜的热腐蚀均符台碱性熔
2
融机理,扁蚀动力学近似服从抛物墁规律。且熔炼Ni-20Cr
5AI台盘的热腐蚀速度比相目温度下熔
炼Ni--20Cr音盎
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