lecture_03_半导体三极管.ppt

一、知识回顾 二、问题提出 问题1：放大电路的主要元件是什么？ 问题2：三极管放大什么？ 三、半导体三极管 四、小结 放大：发射结正偏，且集电结反偏； 截止：发射结电压小于开启电压，且集电结反偏； 饱和：发射结和集电结都正偏。 2) 极间反向截止电流 １) 发射极开路，集电极－基极反向截止电流ICBO ICBO可以通过图1.3.10所示电路进行测量。 ２) 基极开路，集电极－发射极反向截止电流ICEOICEO是当三极管基极开路而集电结反偏和发射结正偏时的集电极电流。 测试电路如图1.3.11所示。 图1.3.10 ICBO测试电路 图1.3.11 ICEO测试电路 3) 极限参数 集电极最大允许电流ICM：当IC超过一定数值时β下降， β下降到正常值的2/3时所对应的IC值为ICM，当ICICM时，可导致三极管损坏。  反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时， 集电极、 发射极之间最大允许电压为反向击穿电压U（BR）CEO，当UCEU（BR）CEO时，三极管的IC、IE剧增，使三极管击穿。为可靠工作，使用中取 根据给定的PCM值可以作出一条PCM曲线如图1.3.12所示， 由PCM、ICM和U（BR）CEO包围的区域为三极管安全工作区。 图1.3.12 三极管安全工作区 5 复合三极管 复合三极管是把两个三极管的管脚适当的连接起来使之等效为一个三极管。  ic=ic1+ic2=β1ib1+β2ib2 =β1ib1+β2(1+β1)ib1 ≈β1ib1+ β2β1ib1 = β 1ib1（1+β2） ≈ β1β2ib1  所以：β= 说明复合管的电流放大系数β近似等于两个管子电流放大系数的乘积。同时有 ICEO=ICEO2+ β2ICEO1 表明复合管具有穿透电流大的缺点。 判断复合管准则： 1）必须保证每只管各个电极的电流都顺着各个管正常方向流动，否则是错误的 2）IB的电流方向是由T1管基极电流决定的 典型复合管结构如下图所示 * 徐国保 信息学院电子工程系 1知识回顾 2问题提出 3半导体三极管 4三极管的主要参数 5 复合管 lecture_03 半导体三极管 内容提纲 重点 三极管特性曲线 三极管工作状态的判断 作业: 2.9,2.10 cha.2.2 电流分配及放大原理 难点 内容提纲 Next:cha.2.3 Q1：如何判断二极管的工作状态？ A1：先断开二极管，判断阳极和阴极电位谁高，就能判断是导通还是截止。 抢答开始！ Q2：发光二极管，光电二极管，稳压二极管正常工作状态是什么？ A2：发光二极管是工作在正向导通状态； 光电二极管正常工作在反偏状态； 稳压二极管正常工作在反向击穿状态。 Q3：二极管有什么特性？ 抢答开始！ P 区 N 区 + ? U R 加正向电压 P 区 N 区 ? + U R 加反向电压 I 很小 二极管具有 单向导电性 I 较大 P 区 N 区 E P 区 N 区 例：扩音系统 功率放大 电压放大 信号提取 问题1：放大电路的主要元件是什么？ 三极管的结构 三个区：发射区、基区和集电区； 三个电极：发射极、基极和集电极; 两个PN结：发射结和集电结。 1、 三极管的结构和分类 三极管的结构 三极管符号 箭头表示发射结正向导通方向 结构上： NPN型和PNP型 三极管的分类 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 材料：硅三极管和锗三极管 频率：低频三极管和高频三极管 功率上：小功率管，中等功率管，和大功率管 2、三极管放大原理和电流分配 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件： 发射结正偏，集电结反偏。 内部条件： 发射区掺杂浓度高； 基区很薄，浓度很低； 集电结面积很大。 三极管放大工作条件 问题2：三极管放大什么？ B E C N N P EB RB EC IE IC 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成IC。 三极管内部载流子的运动规律 IB 外电场 外电场 IC＞＞IB 体现了三极管的电流放大作用 IE