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光电检测技术 李群明 联系电话时间： 1-8周，星期三1、2节(单) ，星期四1、2节 地点： 新校区C-407（周2）； 实验： 3次6学时 机械楼1楼B-107光电检测实验室 成绩评定 考试：70%，闭卷，考试资格 平时表现：15% 出勤、课堂表现、作业 实验: 15 % 光电检测的基本特点 将载荷有被测目标信息的光辐射通过光电检测器件接收后转换为电信号,经输入放大、滤波等检测电路处理后提取有用信息的过程,用于计数、显示、记录、控制、跟踪等 光电检测的应用普遍性 日常生活、光通信、光传感、光测量、光加工、激光制导、遥感遥测 光电检测的非接触特性 无机械摩擦 光电检测的精密性 光电制造、激光测量、激光多普勒测振仪、激光干涉仪 激光位移测量、光学全息照相 医学检查 光电检测的快速性 第一章 光电检测技术基础 1.1 辐射度量和光度量 1.2 半导体物理基础 1.3 光电效应 1.1 辐射度量和光度量 一、光的基本性质 光的微粒流学说 牛顿，17世纪:反射、折射 光的波动学说:电磁波 惠更斯，杨氏，麦克斯韦（1860）：干涉、衍射、偏振 光的波粒二象性 电磁波(光传播时)：干涉、衍射、偏振、反射、折射 光子流 (与物质作用)：发射、吸收、色散、散射 一、光的基本性质 光的基本特性 光谱范围：1pm~1mm，波长短 可见光波长：380nm~780nm 真空中光速: 光在媒质中传播速度: v=λν/n 光子能量：E= hν 光子动量：p = hν/c = h/λ 普朗克常数: 二、光辐射度量 三、光谱辐射度量：光谱分布 四、光度量：可见光 根据人眼的视觉强度来定义 能量相同而波长不同的光引起人眼的视觉强度不同 光谱光视效率（视见函数）V(λ) 国际照明委员会CIE定义 555nm处最大，V（λ）=1 明视觉：白天正常光照 暗视觉：夜间弱光照射 1.2 半导体物理基础 电阻率介于导体和绝缘体之间的物质。 一、半导体的特性 半导体特性 电阻温度系数是负的，对温度变化敏感。 导电性能可受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。 半导体的导电能力及性质会受热、光、电、磁等外界作用的影响而发生显著的变化。 常见半导体材料有： 元素半导体：硅、锗、硒 化合物半导体：GaAs、铝砷化镓、InSb,CdS,PbS 氧化亚铜的氧化物：砷化镓－磷化镓固熔半导体 有机半导体、玻璃半导体、稀土半导体 半导体器件:利用半导体的特殊电学特性制成的器件 二、能带理论 １．原子中电子的能级 能级：在孤立原子中，原子核外的电子按照一定的壳层排列，每一壳层容纳一定数量的电子。每个壳层上的电子具有分立的能量值，也就是电子按能级分布。 ２．晶体中电子的能带 能带：以一定的周期重复排列所构成的物体称为晶体．原子之间距离很近，致使离原子核较远的电子轨道发生交叠，使电子不再属于某个原子，有可能转移到相邻原子及更远的原子壳层上去，成为整个晶体所共有，这种现象称为电子的共有化。从而使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。 二、能带理论 二、能带理论 3. 半导体的导电机构 导电条件: 1)向电子提供能量; 2)电子要跃入的能级是空的 外加电场时，价带中电子可跃迁至导带，电子在热运动中迭加了定向运动，形成电流 价带中电子越多，导电能力越强；价带中电子空位越多，导电能力越强 价带中的电子空位称为空穴 电子和空穴统称为载流子 3. 半导体的导电机构 本征半导体 完全纯净、结构完整的半导体称为本征半导体 本征激发：电子由价带直接激发跃迁到导带 本征半导体的载流子只能依靠本征激发产生 导带电子和价带空穴相等 3. 半导体的导电机构 杂质半导体： 半导体中人为地掺入少量杂质形成掺杂半导体，杂质对半导体导电性能影响很大 杂质能级和晶体中其它能级不同，可处于晶体能级的禁带 N型半导体： 在四价原子硅（Si）晶体中掺入五价原子，例如磷（P）或砷（As），形成N型半导体，电子为多数载流子 施主能级离导带底较近，导带中电子多于价带中空穴 P型半导体： 在四价原子硅（Si）晶体中掺入三价原子，例如硼（B），形成P型半导体，空穴为少数载流子 受主能级离价带顶较近，价带中空穴多于导带中电子 三、热平衡载流子 在一定温度下，若没有其他的外界作用，半导体中的自由电子和空穴是由热激发产生的。载流子的激发和复合两种过程处于热平衡状态，载流子浓度为某一稳定值。 根据量子理论和泡利不相容原理，能态分布服从费米统计分布规律，能量为E的能态被电子占据的概率f(E)由费米-狄拉克函数给出，即 导带电子浓度n和价带空穴浓度p 三、热平衡载流子 本征半导体中，电子和空穴浓度相等，即n=p, 本征载流子浓度为一恒定值 式中Eg=E_