InAs%2fGaSb二类超晶格红外探测材料和器件研究.pdfVIP

MBE2013 专题邀请报告 IS1 InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料及器件研究 马文全 中国科学院半导体研究所，北京海淀区清华东路甲35 号, 100083 Email: wqma@semi.ac.cn 锑化物InAs/GaSb二类超晶格材料具有二型能带结构，电子有效质量大，俄歇复合率低，波 长调节范围大 （约2-30微米），在高性能制冷型红外探测器领域具有重要应用。与碲镉汞红外探 测器相比，二类超晶格红外探测器材料均匀性好，成本低，在中波及长波波段与碲镉汞探测器性 能相当，在甚长波波段则有较大优势；与量子阱红外探测器相比，其量子效率高，载流子寿命长, 性能远高于量子阱红外探测器。因此锑化物InAs/GaSb二类超晶格材料目前在国际上红外探测器 领域引起了广泛关注，在国防与民用领域都有广泛的应用。 在本报告中我将向大家汇报我们在分子束外延生长锑化物二类超晶格红外探测材料与器件 研究方面的进展，我们已经生长出质量极高的超晶格材料，并且研制成功短波、