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2017-08-20 发布于河南
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SPW35N60CFD TM CoolMOS Power Transistor Product Summary Features V DS 600 V • New revolutionary high voltage technology R DS(on),max 0.118 Ω • Intrinsic fast-recovery body diode I D 34 A • Extremely low reverse recovery charge • Ultra low gate charge PG-TO247 • Extreme dv /dt rated • High peak current capability • Periodic avalanche rated • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant Type Package Ordering Code Marking SPW35N60CFD PG-TO247 Q67045A5053 35N60CFD Maximum ratings, at Tj =25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions Value Unit Continuous drain current I D T C=25 °C 34.1 A T C=100 °C 21.6 Pulsed drain current2) I D,pulse T C=25 °C 85 Avalanche energy, single pulse E AS I D=10 A, V DD=50 V 130