电沉积ZnO及透光性性能地研究.pdfVIP

E．055 ，， 电沉积ZnO及透光性性能的研究 叶锋，杨传钰，李晶晶，林才顺，王同涛，王新东· f北京科技大学冶金与生态工程学院，北京100083 E-mail：echem@ustb．edu．c疗， 。 # eV半导体材料 ZnO是一种直接带隙宽度宽禁带II．vI族半导体材料【I】．室温下禁带宽度为3．37 [2,31，具有高达600aeV的激子束缚能性能稳定，在紫外波段具有强的激子跃迁发光．制备ZnO的方 法有许多种，如磁控溅射法、化学气相沉积，以及电化学沉积等。其中，电化学沉积方法具有若干 其他方法优点，，?如能通过沉积条件精确控制厚度、沉积速度快、设备简单等，因此近年来引起人们 的关注。本文采用阴极恒电流方法，以ZnCl：水溶液为电解液，在经预处理的ITO导电玻璃上制备 了纳米ZnO，借助x射线衍射(XRD)和透射光谱等测试手段对其微结构和透光性进行了表征，结 果表明ZnO具有C轴高度择优取向，以六方纤锌矿结构存在。当入射光波长大于380nm时，ZnO 的透光率大于95％。此法制备的纳米ZnO有可能成为光学材料应用于平板显示领域和短波长光电器 件领域。 1实验部分 Multichannel 电化学测量在VMP Potentiostat(PrincetonResearch)上电化学工作站上进 Applied mol／L KCl水溶液，在标准三电极电 行。前驱液ZnCl2水溶液，浓度为O．001mol／L，辅助溶液为O．1 池体系中，以ITO导电玻璃为工作电极，经ZnO纳米粒子膜修饰后的ITO导电玻璃作为基底，99．99％ 铂片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，电化学沉积过程中控制阴极电流恒定不变。在实验过程 mA／cm2，温度为65℃，沉积时间为lh。实验所得样 中，前驱液中02饱和，电沉积电流密度为0．5 品，用去离子水冲洗，自然晾干． 2结果和讨论 一 间为lh厂’电流密度为0．5 有沿(001)晶面生长的高度取向性，即沿纤锌矿结构c轴择优生长．这表明所制备的ZnO为六方 纤锌矿结构． 蚤 ‘荔 C 昱 C 加 ∞ ∞ 1∞ 20／degree 图1以经ZnO纳米粒子膜修饰后的ITO导电玻璃基底上电沉积制备得到的纳米ZnO的XRD图谱 (‘ITO基底峰) XRD ofZaO onriosubstrate withZnO offro substrates) Fig．1 pattern electrodeposited pro-modifiednanoparticles(peaks E．055 ∞ ∞ ∞ 柏 一零一9。c毋#一E∞c巴卜 ∞ 300 400 500 600 700 800 Wavelength／nm 图2 ZnO