MSW2000表面贴装PIN二极管开关.pdfVIP

SiB457EDK：P沟道功率MOSFET Vishay推出一款 低导通 电阻的新型20VP沟道功率 存储器件 MOSFETSiB457EDK。新型SiB457EDK采用了TrenchFET GenIIIP沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方 英寸的硅片上装进了十亿 Engenio4900：存储系统 个晶体管单元。 LSI推出 LSIEngenio4900存储系统 ，该新一代中 随着这种新器件的 端磁盘存储系统 旨在以低成本实现最佳性能 、高动态灵活 发布，采用四种表面贴装 性以及高级功能。系统的多协议连接性和模块化架构支持 封装类型 的TrenchFET 8Gb／s光纤通道 (8GFC)和 1Gb／siSCSl主机接口，有助 Gen…P沟道功率MOSFET现已供货 ，其中包括耐热增 于降低采购及运营成本，同时还能满足服务器和存储整合 强型 PowerPAK SO．8封装，它可在 SO．8占位面积中实 的需求。 现低至 1．9mQ的导通电阻。SiB457EDK采用 PowerPAK Engenio4900系 SC．75封装 ，是该系列中最小的器件 ，在 1．6mmX1．6mm 统的新一代架构实现 占位面积中实现了低导通 电阻。其 RDS(on)值从4．5V的 了 1．6GB／s的磁盘持 35m~~到 1．5V的130mQ。与具有相同额定电压的最接近 续读取速度 ，相对于前代产品而言带宽性能提高了60％。 的P沟道器件相比，这些新的SiB457EDK在4．5V和 2．5V 此外 ，系统还可支持超过 50000lOPS的磁盘读取速度， 电压下的导通 电阻降低了42％，在 1．8V电压下的导通电 比前代产品提高了25％。利用系统的 8GFC主机接 口， 阻则降低了46％。 用户不仅可减少单位服务器的主机总线适配器 (HBA)数以 TrenchFETGen…P沟道 MOSFET有助于在各种应 及 FCSAN基础设施的总端口数 ，同时还能保持性能不受 用 中节约能源 ，如笔记本 电脑和工业 ／通用系统中的适配 影响，从而通过减少硬件组件数将 SAN基础设施的成本降 器和负载开关。匿团目圆 低45％。圈圆圈 Vishay l^，I，‘I^(vishay．com LSI I，ll，I●cIsi．com 豫＼ 西_ll_l、 无源元件 ， 分立器件 MSW20O0：表面贴装PlN二极管开关 IRlB{l。d IF：基毅 业级3alvMOSFE三1- MSW2000系列表面贴装 PIN二极管SP2T开关能 IR推出一系列获得工业认证的30VTO．220HEXFET 处理的入射功率为 100W，适于军方 电台、lED、MRI和 功率 MOSFET，为不 间断电 WiMAX市场的更高功率、更高线性 RF和微波应用。这些 源 (UPS)逆变器、低压 电动 开关采用AEROFLEX混合制造工艺，是低高度、紧凑型 工具、ORing应用和网络通信