碲化镉（CdTe）薄膜太阳电池及其光学检测（中）.pdfVIP

碲化镉 CdTe薄膜太阳电池 及其光学检测 (中) 密密歇歇根根大大茎学詈电-T国家q-程与；计算机科学系-…李剑 三 电池结构与沉积方法 蒸气输运沉积法(VTD)也被工业界广泛关注， 碲化镉薄膜电池分为衬底朝上(I；1t光入射方向) 但 目前使用量不如CSS广。VTD沉积法是通过携 和衬底朝下两大类结构。衬底朝上是 目前用得最 带气体把从碲化镉源中加热分解出的碲原子和镉 多的结构。其生长过程是在玻璃衬底上顺序沉积 原子输运到衬底上，在衬底表面反应生成碲化镉 透 明导电氧化物(TCO)、硫化镉、碲化镉 以及金属 并沉积到衬底上。 背电极层。 此外还有溅射法。CSS和VTD的优点是生长 阳光需要透过玻璃和硫化镉才能进入碲化镉 率高，对真空的要求很低，因此适合工业界大量应 吸收层。某些高效电池在这一基本结构基础上加 用。相比之下，溅射法 由于对真空要求高和生长率 以改进，如在硫化镉层中加入氧以提高禁带宽度， 低而仅用于科研。溅射法的优点是衬底温度低(约 进而扩展紫外透光率；在TCO和硫化镉层之间加 250℃)，远低于CSS和VTD要求的600C左右，而 入高电阻的锌锡氧化物层，以减少硫化镉层厚度 且溅射法有利于精确控制和测量薄膜的性质。 并克服短路等9[J。衬底朝下型电池的生长过程，首 硫化镉的沸点较高，因此它的沉积很少采用 先是把碲化镉沉积在镀金属薄膜的衬底上或直接 加热气化的方法，而主要使用溅射和化学水浴沉 沉积在金属衬底上，然后顺序沉积硫化镉和TCO。 积法(CBD)。TCO层使用较多的是溅射法 。金属电 阳光穿过TC0和硫化镉后进入碲化镉吸收层。衬 极层的沉积方法主要包括热蒸镀法和溅射法。图2 底朝下型电池的主要优点是便于制作在可弯折的 为衬底向上型碲化镉电池的典型工艺流程图。 轻便衬底上。 在上述碲化镉电池的制作流程中，本文拟特 碲化镉薄膜的沉积方法多种多样，这里仅介 别强调一道特有的氯化镉处理工艺 ，即把沉积后 绍几种应用较普遍的方法。 的碲化镉、硫化镉层暴露在含氯和氧的氛围中进 近空间升华(css)是工业界和学术界都广泛使 行处理的一道工艺。氯化镉既可通过溶液直接滴撒 用的沉积方法。它的特点是二维平面内分布的碲 在样品表面，也可通过类似CSS的方法从样品附近 化镉源和衬底的距离很近 ，在源和衬底之间维持 的源中蒸发出来。样品本身需要加热到约400~C。 了较高的蒸气压，加热升华后的碲化镉很快沉积 处理时间随碲化镉的厚度变化而变化，2m厚的 在衬底上。 碲化镉层约需要30min处理。氯化处理对于改善材 — — — ～ SOLARENERGY 17，2011