模拟电子技术 第2版 教学课件 作者 苏士美 第1章 半导体器件基础.pptVIP

模拟电子技术（第2版） 第1章 半导体器件基础 1.1 半导体基础知识 半导体导电具有的特点： ①热敏性：当半导体材料受外界热刺激时，其导电能力将发生显著改变； ②光敏性：当半导体材料受外界光照射时，其导电能力将发生显著改变； ③掺杂性：在纯净半导体材料中，掺入微量杂质，半导体的导电能力会有显著增加。 1.1.1 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 1．本征半导体的原子结构及共价键 2．本征激发和两种载流子—自由电子和空穴 在本征半导体中，自由电子和空穴成对出现，数目相同。 空穴也是一种载流子。 半导体材料中空穴越多，其导电能力也就越强。 3．结论 ① 半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。 ② 本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。 ③ 一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 ④ 温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 1.1.2 杂质半导体 杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。 1．N型半导体 N型半导体中，自由电子为多数载流子，简称为多子；空穴为少数载流子，简称为少子。 N型半导体主要靠自由电子导电。 2．P型半导体 P型半导体中，空穴为多数载流子（多子），自由电子为少数载流子（少子）。 P型半导体主要靠空穴导电。 1.1.3 PN结及其单向导电性 1．PN结的形成 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动，如图1.6所示。 P区和N区在交界面的两侧形成一个不能移动的带异性电荷的离子层，此离子层被称为空间电荷区，这就是所谓的PN结，如图1.7所示。 少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。 漂移运动和扩散运动的方向相反。 2．PN结的单向导电性 （1）PN结外加正向电压 PN结P端接高电位，N端接低电位，称PN结外加正向电压，又称PN结正向偏置，简称为正偏，如图1.8所示。 PN结正向导通时，通过PN结的电流（正向电流）大，而PN结呈现的电阻（正向电阻）小。 （2）PN结外加反向电压 PN结P端接低电位，N端接高电位，称PN结外加反向电压，又称PN结反向偏置，简称为反偏，如图1.9。 PN结反向截止时，通过PN结的电流（反向电流）小，而PN结呈现的电阻（反向电阻）大。 因为环境温度愈高，少数载流子的数目愈多，所以温度对反向电流的影响很大。 结论：PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。 1.2 半导体二极管 1.2.1 二极管的结构及符号 二极管同PN结一样具有单向导电性。 图1.11所示为二极管的符号。 由P端引出的电极是正极，由N端引出的电极是负极，箭头的方向表示正向电流的方向，VD是二极管的文字符号。 根据使用的不同，二极管的外形各异，图1.12所示为几种常见的二极管外形。 有关半导体二极管器件型号命名的方法，参见本书附录B实用资料速查B1部分。 1.2.2 二极管的伏安特性和主要参数 1．二极管的伏安特性 二极管两端的电压U及其流过二极管的电流I之间的关系曲线，称为二极管的伏安特性。 （1）正向特性 如图1.13所示，当二极管所加正向电压比较小时（0UUth），二极管上流经的电流为0，管子仍截止，此区域称为死区，Uth称为死区电压（门坎电压）。 硅二极管的Uth约为0.5V，锗二极管的Uth约为0.1V。 硅二极管的正向导通压降约为0.7V，锗二极管的正向导通压降约为0.3V。 （2）反向特性 二极管外加反向电压时，反向电流很小（I≈?IS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此称此电流值为二极管的反向饱和电流。 这时二极管呈现的电阻很大，认为管子处于截止状态。 （3）反向击穿特性 当反向电压的值增大到UBR时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，UBR称为反向击穿电压。 2．二极管的温度特性 二极管是对温度非常敏感的器件。