模拟电子技术与实训 教学课件 作者 罗厚军 第1章 半导体器件最新.ppt

常用的半导体材料有硅和锗，硅原子和锗原子的电子数分别是14和32，所以它们最外层的电子都是四个，是四价元素。它们的原子结构简化模型如图1-1所示。 1.1　半导体基础知识 扩散的结果是在N区留下带正电的离子，而P区留下带负电的离子，它们集中在交界面两侧形成一个很薄的空间电荷区，也就是PN结，如图1-6b所示。在这个区域内自由电子和空穴成对消失而复合，它们相互耗尽了，没有载流子，空间电荷区又称为耗尽层。 1.2　二极管 2.反向击穿电压UBR 反向击穿电压UBR是指二极管反向击穿时的电压值。当温度升高时，二极管反向击穿电压值UBR会有所下降。 3.最高反向工作电压URM 最高反向工作电压URM是指确保二极管安全使用时所允许的最大反向电压，一般手册上给的最高反向工作电压URM约为反向击穿电压UBR的一半。 4.反向电流IR(反向饱和电流IS) 反向电流IR（又称为反向饱和电流IS）是指在室温和规定的反向工作电压下（管子未击穿时）的反向电流。此值越小，说明二极管的单向导电性越好。 1.2　二极管 图b中,VS1、VS2串联在电路中，两个稳压管均正向连接而导通，因此输出电压为UO=0.7V+0.7V=1.4V。 图c中,VS1、VS2并联反向连接与电路中，当稳压管VS1处于稳压状态时，稳压管VS2因两端电压小于稳压值而处于截止状态。因此输出电压为UO=5V。 图d中,VS1、VS2并联在电路中，VS1反向连接，VS2正向连接，稳压管VS2因正向连接而导通，相应的稳压管VS1因两端电压值小于稳压值而处在截止状态。因此输出电压为UO=0.7V。 1.4.1　结型场效应晶体管1.结型场效应晶体管的结构和类型 结型场效应管有N沟道和P沟道两种类型，其结构示意图及电路符号如图1-28所示。 1.5　半导体器件技能训练 本章小结 PN结是构成半导体器件的基础。PN结具有单向导电性，即PN结正向偏置时导通，PN结反向偏置时截止。 半导体二极管是非线性器件，伏安特性形象地描述了二极管的单向导电情况。二极管的死区电压（硅管约为0.5V：锗管约为0.1V），硅管导通压降约为0.6～0.8 V,锗管导通压降约为0.2～0.3 V。理想二极管导通压降近似认为零。稳压二极管、发光二极管、开关二极管是最常见的特殊二极管，各自有不同的用处。 半导体三极管是一种电流控制器件，具有电流放大作用。其输出特性可分为三个区域：放大区、饱和区和截止区。在放大区，发射结正向偏置，集电结反向偏置。在饱和区和截止区，三极管具有开关特性。 本章小结 场效应晶体管是一种电压控制器件，利用栅源电压来控制漏极电流，有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类，绝缘栅型场效应管又分增强型和耗尽型。每种管子都有N沟道和P沟道两种，转移特性和输出特性反映了管子的工作特点。 应掌握用万用表简易测试二极管、三极管的方法，判断其质量好坏以及管型管脚。 晶体管毫伏表、函数信号发生器和示波器是最常用的电子仪器仪表，应学会它们的操作和使用方法。 1.5　半导体器件技能训练 图1-44　用万用表测试集电极 (2) 判断集电极和发射极　确定基极后，假定另外两个电极中的一个为集电极，用手指将假定的集电极与已知的基极捏在一起(注：两个电极不能相碰)，若已知被测管子为NPN型晶体管，则以万用表的黑表笔接在假定的集电极上，红表笔接在假定的发射极上，如图1-44a所示，这时测出一个电阻值。 1.5　半导体器件技能训练 (3) 电流放大倍数β的估测　将万用表拨到相应的电阻挡，以NPN型管为例，测集电极和发射极之间的电阻，再用手捏着基极和集电极，观察表针摆动幅度的大小，表针摆动越大，β值越大。2.晶体管的参数测试方法1) 集电极-基极间的反向饱和电流ICBO的测试方法是：将晶体管发射极e开路，在集电极c、基极b之间接入电源UCC和直流微安表μA,如图1-45所示，此时流过c、b之间的反向电流即为ICBO。 图1-45　ICB0的测量 1.5　半导体器件技能训练 图1-46　ICE0的测量 2) 集电极-发射极间的穿透电流ICEO的测试方法是：晶体管基极b开路,在集电极c、发射极e之间接入电源UCE和直流微安表μA,如图1-46所示，此时流过c、e之间的电流即为ICEO。 1.5　半导体器件技能训练 3.晶体管的选择和使用1) 根据电路要求确定晶体管的种类和型号。2) 由于硅管反向电流小、受温度影响小、工作稳定性好，对参数稳定性要求高的应选用硅管。3) 晶体