模拟电子技术与应用项目教程 教学课件 作者 王继辉 二极管及其应用.ppt

* 二极管的应用 1、单相半波整流电路 u1 u2 a T b VD RL uo * 整流滤波电路 (1)二极管上承受的最高电压： (2) 输出电压平均值（Uo）： (3)流过负载和二极管的平均电流为 * 整流滤波电路 2、单相桥式整流电路 u2正半周时电流通路 u1 u2 T VD4 VD2 VD1 VD3 RL uo + - + - (1) 工作原理 * 整流滤波电路 - + u0 u1 u2 T VD4 VD2 VD1 VD3 RL u2负半周时电流通路 + - * 整流滤波电路 u20 时 VD1,VD3导通 VD2,VD4截止 电流通路: VA ? VD1? RL?VD3?B u20 时 VD2,VD4导通 VD1,VD3截止 电流通路: B ? VD2? RL?VD4?A 输出是脉动的直流电压！ 桥式整流电路输 出波形及二极管 上电压波形 u2 VD4 VD2 VD1 VD3 RL uo A B u2 uD4,uD2 uo uD3,uD1 * 整流滤波电路 (1)整流输出电压平均值（Uo） (2)负载上的(平均)电流: (3)流过二极管的(平均)电流: (4)二极管承受的 最大反向电压 2 参数计算 * 整流滤波电路 几种常见的硅整流桥外形： + A C - ~+~- ~ + - ~ * 整流滤波电路 3、滤波电路 滤波电路的结构特点: 电容与负载 RL 并联，或电感与负载RL串联。 交流 电压 脉动 直流电压 整流 滤波 直流 电压 原理：利用储能元件电容两端的电压(或通过电感中的电流)不能突变的特性, 滤掉整流电路输出电压中的交流成份，保留其直流成份，达到平滑输出电压波形的目的。 整流滤波电路 * 电容滤波电路 * 整流滤波电路 桥式整流电容滤波电路 a u1 u2 u1 b VD4 VD2 VD1 VD3 RL uo S C + – 全波整流电容滤波电路 * 整流滤波电路 RL接入（且RLC较大） u2 t uo t 滤波输出 整流电路的输出电流iD iD a u1 u2 u1 b VD4 VD2 VD1 VD3 RL uo S C + – 一般取 * 整流滤波电路 RL未接入（K断开） u2 t uo t 设t1时刻接通电源 t1 整流电路为电容充电 充电结束 没有电容时的输出波形 a u1 u2 u1 b VD4 VD2 VD1 VD3 RL uo S C + – * 整流滤波电路 电感滤波电路 二极管及其应用 半导体的基本知识 1 半导体二极管 2 特殊二极管 3 二极管的应用 4 6 * 整流滤波电路测试 5 * 一、半导体及其特性 在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 * 半导体的导电能力由于某些因素会产生显著的变化，因而受到人们的重视。 *主要表现为光敏特性、热敏特性和掺杂特性。 *纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。 束缚电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 温度升高 受光照射 电子空穴对 * 二、掺杂半导体 在本征半导体中用扩散工艺掺入少量合适的其它元素，使其导电能力显著增强，这样的半导体称为掺杂半导体。 （1）N 型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，使之在某些位置上取代硅（Si）原子，便可构成N型硅半导体。 （2）P 型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等，使之在某些位置上取代硅（Si）原子，便可构成P型硅半导体。 * 多余电子 磷原子 硅原子 多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴 + + + + + + + + + + + + N型半导体 施主离子 自由电子 电子空穴对 N 型半导体 * 空穴 硼原子 硅原子 多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 － － － － － － － － － － － － P型半导体 受主离子 空穴 电子空穴对 P 型半导体 * 三、PN结的形成及特点 内电场E ?因多子浓度差 ?形成内电场 ?多子的扩散 ?空间电荷区 ?阻止多子扩散，