无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状.pdfVIP

澈光与 电子学进展 52，030003(2015) Laser 0ptoelectrOnicsProgress ~2015{中国激光》杂志社 无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状 林 涛 孙 航 张浩卿 林 楠。马骁宇 王勇4。 西安理T大学 自动化与信息工程学院，陕西 西安 710048 。中国科学院半导体研究所，北京 100083 。中国科学院西安光学精密机械研究所，瞬态光学与光子技术国家重 点实验室，陕西 西安 710119 摘要 自量子阱混杂发现 以来 ，其在这几十年 的发展中取得 了巨大进步。在各种量子 阱混杂的方法 中，无杂质空位 扩散诱导量子阱混杂(IFVD)以其独特 的优势获得了细致的研究和广泛 的应用 。主要从混杂原理、介质膜类型、材料 系、低维量子点中的应用和器件应用等几个方面来全面分析IFVD研究和应用现状 。 关键词 材料；量子 阱混杂；IFVD；介质膜；量子点 中图分类号 TN304．2