常压MOCVD制备硫化镉薄膜地研究.pdfVIP

常压MOGVD制备硫化镉薄膜的研究 董东刘孝波陈志运尚承伟胡文成 电子科技大学微电子与固体电子学院四川 成都610054 ．摘 对薄膜进行了结构及光学性能的分析．主要讨论了衬底温度及退火对薄膜结构、透光性能和光学带隙的 影响．不同衬底温度退火后得到的CdS薄膜均为高度(002)择优取向的单一六方相结构且透光率较高， 光学带隙接近块材． 关键词：CdS；MOCVD；单源；择优取向；光学性能 一、引言 硫化镉是一种非常重要的直接宽带隙半导体材料．具有纤锌矿结构，其带隙较宽，约为2．42ev。硫 化镉还具有很强的光伏效应、窗口效应、声电效应、光电导效应等多种特殊效应，在太阳能电池、光探 测器、传感器和非线性集成光学器件等领域[1-5]具有较大的应用前景。目前，制备硫化镉的方法有真空 [13。14]，但是对于在常压下利用单源MOCVD法制备硫化镉薄膜的研究却不是很多。 本文采用常压单源MOCVD法在玻璃基片上制备了硫化镉薄膜，主要研究了衬底温度及退火对薄膜的 结构和性能的影响。 二、实验方法 。 本文以Cd(S2CNEt2)2为单源前驱物，IOXlOmm的玻璃基片作为衬底，薄膜的沉积在与环境大气相通 的水平管式炉中进行．前驱物在源区加热蒸发，其蒸汽随载气N2进入反应区，在高温衬底上分解沉积成 膜进行后期退火处理，最终得到的CdS薄膜随炉体自然冷却至室温后，取出样品。 利用BedeD1型x射线衍射仪对薄膜的品体结构和结晶质量进行测试，薄膜的光学性能用紫外一可 见光分光光度计进行分析，并利用扫描电子显微镜(SEM)观察CdS薄膜的形貌特征． 三、结果与讨论 3．1XRD分析 8 t t l I． 主 jll l - 一 - ● - M ∞ 一 - ，●·_州b■·¨ 图1 隙半导体材料，具有纤锌矿结构，其带隙较宽，约为2．42ev。硫化镉还具有很强的光伏效应、窗口效应、 声电效应、光电导效应等多种特殊效应，在太阳能电池、光探测器、传感器和非线性集成光学器件等领 膜的方法日益受到国内外研究者的关注。但普通多源MOCVD法存在很多缺点，与之相比，单源MOCVD 456 M0cvD法制备硫化镉薄膜的研究却不足很多。 本文采用常压单源MOCVD法在玻璃基片上制备了硫化镉薄膜，主要研究了村底温度及退火对薄膜的 结构和性能的影响。 的水平管式炉中进行．前驱物在源区加热蒸发，其蒸汽随载气N2进入反应区，在高温衬底上分解沉积成 膜进行后期退火处理，最终得到的CdS薄膜随炉体自然冷却至室温后，取出样品。 利用BedeD1型X射线衍射仪对薄膜的晶体结构和结品质量进行测试，薄膜的硫化镉是一种非常重 要的直接宽带隙半导体材料，具有纤锌矿结构，其带隙较宽，约为2．42ev。硫化镉还具有很强的光伏效 应、窗口效应、声电效应、光电导效应等多种特殊效应，在太阳能电池、光探测器、传感器和非线性集 高质量半导体薄膜的方法日益受到国内外研究者的关注。但普通多源MOCVD法存在很多缺点，与之相比， 利用单源MOCvD法制备硫化镉薄膜的研究却不是很多． 在2 但是从其他较弱的衍射峰可以进一步确定CdS薄膜为六方相结构。这说明退火处理提高了薄膜的结品性 的衍射峰急剧增强，而且并未有第二相的衍射峰出现。结果表明，得到的CdS薄膜为单一的六方相结构。 上排列生长，即沿与衬底垂直的方向生长。郑毓峰等¨引认为该结构足二维层状结构沿c轴方向等堆积排 列形成一维点阵，由于大量层错的存在，而不具有三维结构特征。