18W开关电源芯片LNK0265B资料.docVIP

LNK0265B 特点 待机功耗小于mW@220Vac 内置优化的OCP补偿 自适应多模式工作，根据负载情况，自动切换到Burst模式、PFM模式或PWM模式 内置前沿消隐电（LEB） 内置斜率补偿电路 逐周期峰值电流限制 开机软启动 具有过流保护、过载保护、VDD过压保护等多种保护 封装形式： 应用领域 DVD、DVB、LCD TV、打印机电源 PC待机电源 适配器 LED驱动 概述 LNK0265B是一款的电流模式PWM离线式控制芯片，内置高压MOS管。采用自适应多模式工作方式，根据负载情况，自动切换到Burst模式，PFM模式，或者PWM模式，满足系统的低待机功耗，高转换效率的要求。内部集成多种保护功能，如过流保护、过载保护、VDD过压保护和VDD欠压保护等多种保护。 管脚图 WWDIP8 SOP8 输出功率表 全电压范围内(AC90V~AC265V) 封装形式 开放环境 封闭环境 LNK0265B DIP8 20W 18W 2.2Ω 典型应用 内部功能简单框图 封装示意图 管脚说明 名称 功能说明 VDD 芯片电源 FB 反馈输入脚。PWM占空比变化取决于FB和SENSE脚的输入电压 NC 悬空脚 CS 电流检测输入脚。 DRAIN 内置高压MOSFET的漏极输出 GND 芯片地 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 DRAIN 高压MOS管漏极输出 ＞60 V VDD 芯片工作电压 3V IDDclamp 芯片嵌位电流 10 mA VFB FB输入电压 －0.3～7.0V VCS CS输入电压 －0.3～7.0 V TOP 工作温度 -20～85 ℃ Tstg 存储温度 -40～150 ℃ VESD 人体放电模式 2000 V Rθja 热阻℃/W LNK0265BA 57 ℃/W LNK0265BB 42 ℃/W 电气工作参数 (除非特殊说明，下列条件均为TA=25℃) 符号 说明 条件 范围 单位 最小 典型 最大 芯片工作电压部分 IDDstart 芯片启动电流 VDD＝12V - 5.0 25 μA IDDop 芯片工作电流 VDD＝18V - 1.0 mA VDDclose VDD关闭电压 .5 8.5 9.5 V VDDstart VDD启动电压 15.16.2 17.2 V VDDOVP VDD过压保护 - 3- V VDDclamp VDD嵌位电压 I＝5mA - 3- V FB输入部分 VFB(open) FB开环电压 - .5 - V IFB(short) FB短路输出电流 400 uA VTH_BM Burst模式阈值电压 VDD＝18V - 1. - V VTH_PL 过功率保护阈值电压 VDD＝18V - - V CS输入部分 VTH_OC 过流阈值电压 VFB＝3.0V 0. 0.80 0.90 V 振荡部分 Fosc 内部振荡频率 VDD =18V，VFB =3.0V - 6- KHz Fosc（burst） Burst模式振荡频率 VDD＝18V - 22 - KHz 高压MOSFET管输出部分 BVDSS 漏源极最大承受电压 IDDop＝1mA, VFB=0V 600 - - V 功能表述 LNK0265B是一高度集成的PWM控制芯片，离线式反激转换电源变换器系统。 启动电流和启动控制 LNK0265B因此在实际应用中可以使用一个阻值较大的启动电阻来降低系统的待机功耗。例如在AC/DC适配器，在通用的输入电压范围内，可以使用MΩ 1/4W的电阻，进一步降低系统的功耗。 突发工作模式（Burst模式） LNK0265B可以根据不同的负载，自动调整开关模式。在空载或者轻负载的情况下，FB脚被拉低到突发模式阈值附近，芯片进入突发工作模式，尽最大可能的降低开关损耗，减少待机状态的功耗。不管在任何负载的情况下，PWM的工作频率总高于音频（即：22KHz）。 电流检测和内置前沿消隐电路 芯片通过检测CS脚外接电阻的电压来检测开关电流。 为了消除高压功率管在开启瞬间产生的尖峰干扰，内置前沿消隐电路，避免芯片在功率管开启瞬间产生误动作，这样就可以省去外部RC滤波电路，节约系统成本。 内部同步斜率补偿