半导体技术基础 教学课件 作者 杜中一 主编 王永姚伟鹏 副主编 第3章 硅半导体材料基础.ppt

尚辅网 尚辅网 第3章 硅半导体材料基础 尚辅网 （2）在真空下生长的硅单晶一般氧碳含量较低，在氩气下拉晶时，氩气中含氧、碳和水份通过氩气带出炉外，降低单晶炉内一氧化碳和一氧化硅的分压，减少它们溶入熔硅的量；减压法拉晶可使单晶炉保持低的压强，又使炉内氩气交换迅速，降低硅单晶的氧碳含量。 （3）坩埚和单晶直径比例要适当，硅单晶生长过程中，石英坩埚中的熔硅表面是低氧区，熔硅和坩埚接触部分是高氧区，中部熔硅为过渡区，坩埚和单晶直径比例适当，一方面使一氧化碳和一氧化硅挥发快，溶入熔硅量减少；另一方面单晶远离坩埚壁附近的高氧区，单晶氧碳含量自然减少。 尚辅网 4.晶体中缺陷 1）晶体缺陷分类 根据缺陷相对晶体尺寸或影响范围大小，可分为以下几类。 （1）点缺陷 点缺陷特征是三个方向的尺寸很小，只有几个原子间距，如各种溶质原子引起的周围畸变区；空位，间隙原子以及这几类点缺陷的复合体。 空位是当一个原子从其格点位置移动到晶体表面时，晶格点阵缺少原子所至；间隙原子是存在于晶体结构的空隙中；Frenkel缺陷是当一个原子离开其格点位置并产生了一个空位时，产生间隙原子-空隙对，即Frenkel缺陷。 尚辅网 点缺陷示意图 尚辅网 （2）线缺陷 线缺陷特征是缺陷在两个方向上尺寸很小（与点缺陷相似），第三个方向上的尺寸很大，可以贯穿整个晶体，属这一类缺陷主要是位错。位错有三种基本类型：刃型位错、螺型位错、混合位错。 位错示意图 尚辅网 （3）面缺陷 面缺陷的特征是一个方向上尺寸很小，在其它两个方向上的尺寸很大，存在于晶体的外表面及各种内界面。一般晶界、孪晶界、亚晶界、相晶界以及层错等属于这一类。 层错与晶体结构有关，经常发生在晶体生长过程中。滑移就是一种层错，它沿着一个或更多的平面发生滑移。 层错示意图 尚辅网 （4）体缺陷 体缺陷是三堆缺陷，在三个方向上尺寸都较大，例如晶体孔晶、漩涡条纹、杂质条纹、包裹体、慢沙（由包裹体组成的层状分子）。 尚辅网 2）硅单晶位错 （1）位错生成 直拉硅单晶生长过程中，生产工艺的不良，可能使单晶产生位错。产生位错的环节和方式有下列几种情况： ①籽晶引入位错 ②单晶生长中位错 ③单晶冷却过程位错过成 （2）单晶无位错生长 纯净的籽晶、熔硅表面与单晶炉体平衡是保证单晶无位错生长的基本条件。熔硅温度变化，单晶的回熔或加快生长也可能形成位错，因此单晶的无位错生长中熔硅温度稳定是非常必要的。 尚辅网 3.4 集成电路硅衬底加工技术 集成电路硅衬底较多采用硅单晶抛光片，硅单晶抛光片的制备工艺流程比较复杂，加工工序多而长，必须严格控制每道工序的加工工质量，以能获得满足集成电路工艺技术要求、质量合格的硅单晶抛光片。图示是典型、传统的大直径硅抛光片加工工艺流程示意图（不含各道工序硅片的清洗。 典型大直径硅抛光片加工工艺流程 尚辅网 3.4.1 硅单晶抛光片的制备 硅锭在拉单晶炉中生长完成后，整型处理是接下来的第一步工艺。整型处理包括在切片之前对单晶硅锭做的所有准备步骤。 第一步是把硅锭的两端去掉。 下一步是径向研磨来产生精确的材料直径。显示了径向研磨过程。 尚辅网 对于硅片定位边或定位槽，半导体业界传统上在硅锭上做一个定位边来标明晶体结构和硅片的晶向。主定位边标明了晶体结构的晶向。还有一个次定边标明硅片晶向的导电类型。 硅片标识定位边 尚辅网 一旦整型处理完成后，硅锭就准备进行切片。这是硅锭生长后的第一个主要步骤。200mm及以上的硅片来讲，切片是用带有金刚石切割边缘的内圆切割机来完成的 。300mm的硅锭目前都是用来线锯来切片的。 线切割具有效率高、锯痕损失小的优点。缺点是：片厚不均、切割过程中智能检测控制很难实现、风险大、成本高等。 * 尚辅网 3.1半导体材料概述 3.1.1 半导体材料发展 根据物质的导电性质，将它们分为导体、绝缘体和介于两者之间的半导体三大类。 1947年锗晶体管的诞生引起了电子工业的革命，打破了电子管一统天下的局面，从此人类从使用电子管的时代进入半导体时代。 尚辅网 进入20世纪60年代，半导体工业的发展发生了一次飞跃，这是由于以硅氧化和外延生长为前导的硅平面器件工艺的形成，使硅集成电路的研制获得成功。 此外，GaN及其多元化合物还是半导体照明的首选材料。半导体灯将有可能像50年前，晶体管取代电子管那样替代白炽灯，使照明工程进入一个新时代。 发光二极管（LED） 全彩显示屏 世界