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元器件降额使用参考一、集成电路 因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。 我们通常规定： 1，最大工作电压，不超过额定电压80% 2，最大输出电流，不超过额定电流75% 3，结温，最大85摄氏度，或不超过额定最高结温的80% 二、二极管 二极管种类繁多，特性不一。故而，有通用要求，也有特别要求： 通用要求： 长期反向电压70%～90%×VRRM（最大可重复反向电压） 最大峰值反向电压90%×VRRM 正向平均电流70%～90%×额定值 正向峰值电流75%～85%×IFRM正向可重复峰值电流 对于工作结温，不同的二极管要求略有区别： 信号二极管 85～150℃ 玻璃钝化二极管 85～150℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（1000V）85～125℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）85～115℃ 肖特基二极管 85～115℃ 稳压二极管（0.5W）85～125℃ 稳压二极管（≥0.5W）85～100℃ Tcase(外壳温度)≤0.8×Tjmax-2×θjc×P，2×θjc×P15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值 三、功率MOS VGS85%×VGSmax(最大栅极驱动电压) ID_peak80%×ID_M(最大漏极脉冲电流) VDS80～90%×额定电压 dV/dt50%～90%×额定值 结温85℃~80%×Tjmax(最大工作结温) Tcase(外壳温度)≤0.8×Tjmax-2×θjc×P，2×θjc×P15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。 四，三极管 所有的电压指标都要限制在85%的额定值之下 功率损耗不超过70%～90%额定值 IC必须在RBSOA(反偏安全工作区)与FBSOA(正偏安全工作区)范围内降额30%（就是额定的70%） 结温不超过85～125℃ Tcase(外壳温度)≤0.75×Tjmax-2×θjc×P，2×θjc×P15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。 五，电解电容 铝电解电容是开关电源中一个非常重要的元件。而很多开关电源的故障率偏高，都是因为对铝电解的使用不当造成的。 由于铝电解的重要性，我们对他的研究比较多，因而制定出来的规则也比较多。 1，Vdc+Vripple90%×额定电压 2，在电容体之下，PCB正面，尽量不要有地线之外的其他走线。 3，纹波电流，这个问题比较复杂，因为开关电源中，纹波电流的频谱是非常丰富的，所以必须把纹波电流折算一下： ? 频率因子，供应商应该可以提供的。 纹波电流必须保证在供应商的额定值的70%～90%之内。 4，电解电容的初始容量要保证20%的裕量。同时，要保证额外的20%的容量裕量，以应对寿命快到时的容量衰减。 5，电解电容的寿命温度加速因子为2每10℃，也就是说，温度每升高10度，寿命减半。 6，壳温Tcase受限于设计寿命。 7，自温升5℃，所谓自温升，是指电容实际工作时，完全因为自身发热导致的温升。 六，瓷片电容 工作电压60%～90%×额定电压 表面温度105℃ 自温升15℃或由规格书定义，以低的为准。 七，薄膜电容 1，在开关电源中，不要使用聚苯乙烯电容，因为聚苯乙烯电容耐热比较差。 2，表面温度85℃，超过85℃耐压按照下图降额使用。此处的电压指的是直流电压叠加交流峰值电压。 ??? 3，聚酯电容自温升8℃或由规格书定义，以低的为准 4，聚丙烯电容自温升5℃或由规格书定义，以低的为准 5，薄膜电容的使用寿命取决于电压值和电压脉冲的上升速率。允许的脉冲数量和电压值以及脉冲斜率的关系，如下式： ? 其中： Npulse为脉冲总数 Vr,max最大额定直流电压 Vapplied实际使用峰峰值电压 (dv/dt)max最大额定脉冲斜率 (dv/dt)applied实际使用脉冲斜率 八，电阻 电阻可以分为三大类：固定线性电阻、固定非线性电阻、可变电阻 固定线性电阻包括：碳膜、金属膜、金属氧化膜、金属釉、碳质等电阻和绕线电阻。 固定非线性电阻包括：NTC、PTC 电阻的可靠性主要取决于电阻的温度，而温度则是环境温度和自身功率损耗产生热量后叠加的效果。 功率和电压都对电阻的选择与使用产生限制： ? 从图中可以知道，对于阻值低于临界阻值的电阻，使用是受功率限制，而对于高于临界阻值的电阻，使用上是受耐压的限制。 对于单个脉冲的功率限制，取决于脉冲的形状。同时脉冲的峰值电压必须不能超过额定限制。 电阻的降额使用规则： 1，在有瞬间高压脉冲的电路中使用金属釉电阻 2，在有大的冲击电流的场合使用绕线电阻 3，连续功率50%×额定功率 4，不要使用1MΩ的碳膜电阻，因为长期稳定性太差 5，高阻值长期稳定性好的电阻应