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PN结特性总结 电气1007班 马伟 在本征半导体中掺入不同的杂质会形成P型或者N型半导体，P型半导体中电子的浓度相对比较大，N型半导体中空穴的浓度相对比较大，但是他们对外都不显电性。 当把Ｐ型和Ｎ型相结合时，在结合面上由于电子和空穴的浓度差，电子会发生扩散，由Ｎ型向Ｐ型运动。此时会在结合面上形成内部电场，场强方向由Ｐ指向Ｎ，同时半导体本征激发的载流子会在此电场的作用下发生漂移，当漂移和扩散产生的电流平衡时就会形成稳定的ＰＮ结。 单向导电性 外加正向电压，（Ｐ接正极）其电场与ＰＮ结内电场方向相反所以会出现压降，电路可以导通。不同的材料压降不一样，硅材料压降一般是０.６～０.７Ｖ，锗材料一般是０.２～０.３Ｖ，砷化镓约为２Ｖ。 当加上反向电压时，（Ｐ接负极）此时反向电压抑制载流子扩散，而本征激发的载流子不占主导地位所以二极管不能导通。但是当反向电压大到一定程度，致使ＰＮ结内电场厚度加宽，这使得漂移占主导形成电流，击穿ＰＮ结，电流瞬间增大。此现象叫ＰＮ结的反向击穿。 PN结的电击穿是可逆击穿，及时把偏压调低，PN结即恢复原来特性。电击穿特点可加以利用（如稳压管）。热击穿就是烧毁，是不可逆击穿。 ＰＮ结的交流电阻 r = 其中I是静态工作点电流 ＰＮ结的电容效应 PN结除了具有单向导电性外，还有一定的电容效应。按产生电容的原因可分为：