高温恒定电场栅氧化TDDB寿命测试方法研究.pdfVIP

高温恒定电场栅氧化层TDDB寿命测试方法研究 王 涛1，李 斌1，罗宏伟2 (1．华南理工大学应用物理系，广东广州 510640； 2．信息产业部电子第五研究所．广东 广州 5106lO) 摘 要：介绍了薄栅氧化层TDDB可靠性评价酌高温恒定电场试验方法，并完成了E模毅的参数提取，同 时以MOS电容栅电流玟党失效判据，瓣菜_芰艺的MOS电容栅氧化层Ⅱ)DB寿命进行了评价。该试验方法解 决了在高澡条件下对工作器件进行可靠靛谨价的问题，方法简便可靠，适用于亚微米和深噩微米工艺线的可 靠性评价。 …¨ii{{… 关键词：栅氧化层；可靠髅评价；模型；参数提取 中圈分类号：硎432 文献标识码：A 文章编号：1672—5468(2004)02一04 andConstantElectricFieldTDDB HighTemperature Thin Testof GateOxide WANG LI LUO Ta01， Binl， Hong—wei2 China of 5 (1．South Guangzhou10640，China； UniversityTechnology， 10610，China) 2．CEPREI，Guangzh叫5 In TDDB basedontheconstantelectric6eldat this method Abstract：paper，a hightemperature is model isextractedfromtheresultsoftheacceleratedlifetime intmduced；Eparameter experi— criterionMOS of oxideisevaluated tothefailure of ment．Moreover，the reliabilitygate according current．ThereforethemethodtoeValuatethe ofthedeVices at capacitorgate reliability operated is methodisconVenientandreliable．ItisfeasiblefortheeValua- hightempemturepresented．nis 0f sub—micrometer tionsub—micrometerand deep processes． oxides； evaluation；model； extraction Keywords：gate reliability par枷eter