AIGaN太阳盲型紫外探测器.pdfVIP

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2017-08-18 发布于安徽
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纪念马祖光院士全国光电子与光电信息技术学术研讨会论文集·哈尔滨2006 AI GaN太阳盲型紫外探测器李雪1p何政19赵德刚2李向阳1，龚海梅1，方家熊1 (1传感技术国家重点实验室。中国科学院上海技术物理所，上海；2中国科学院北京半导体所，北京) 关键词：太阳盲区；Gab／；肖特基；探测器 Solar-BlindDetector AlGaNUV LI Xuel，HE Zhen91，ZHAODe．ganf，LIXiang-yan91，GONGHai．meil，FANGJia-xion91 Laboratories ofTransducer Instituteoftechnical (1．StateKey Technology,Shanghai ofSciences, Physics，ChineseAcademy Semiconductor of Institute，Chinese Shanghai；2．aeijiing AcademySciences，Beijing) AICraN Abdtraet：Solar-blind havebeen demonstratedon Schottky photodiodc successfully MOCVD-grown contactand contactwcre hetero-strueture．SchoRkyohmic formedAuandTi／AI／Ni／Aumetallization by characteristicsand ofthedetectorswerestudied．Theresultshowsthat diodeisformedOll spectralrespomivity goodschottky withthebarrier of ofdetector from250rimto290nmwiththe Au／Alo．33Gao．67N height0．83eV,responsewavelength changes peak of0．081A／W． responsivity Keywords：solar-blindGaN。Schottlq,detector 1．1材料结构设计、引言为了实现响应波长在300nm以下紫外探测，我在自然界中太阳的紫外光大部分被大气中的们对AIGaN肖特基紫外探测器的外延层结构进行氧和臭氧层强烈地吸收掉了，其中200nm300nm 设计，根据Y 波长的紫外光几乎被完全吸收了。所以这段波长的 AlxGal．xN在六角形晶面上能带的变化为：外光区域常被称为“太阳盲区”，GaN基紫外探测器通过合金AIGaN组分的调整可使探测器的截止 (1) 波长具备太阳盲探测特性。目前，GaN基器件可以其中Eg(GaN)=3．4leV，臣：(AlN产6．20eV，b为实现多种结构，如光伏器件PIN，