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第一章 常用半导体器件 § 1.1 半导体基础知识 一、本征半导体 思考： P 型半导体带正电吗？ N 型半导体带负电吗？ PN 结的形成 问题 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？ 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 2. 扩散电容 CD 两区在 PN 结正偏时，多子存在净的 越结扩散，进入对方区域中成为非平 衡少子，在空间电荷区两侧积累，形 成非平衡少子浓度分布nP(x) 和pn(x) 存在非平衡少子浓度分布的两个区域 → 扩散区 § 1. 2 半导体二极管 一、二极管的组成 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 三、二极管的等效电路 2. 微变等效电路 四、二极管的主要参数 最大整流电流 IF：最大平均值 最大反向工作电压 UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即 IS 最高工作频率 fM：因 PN 结有电容效应 讨论： 如何判断二极管的工作状态？ 2) 图解法 讨论： 2. 什么情况下应选用二极管的什么等效电路？ 五、稳压二极管 六、变容二极管 考虑 CT 和 CD 在Q点处二极管的小信号模型为下图: 特殊二极管（了解）请阅读教材 太阳能电池 光电二极管 发光二极管 肖特基二极管 §1.3 晶体三极管 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 例：图中 断开B点时，表的读数 为240μA，断开E点时 表的读数为6μA， 求该管的 和 放大偏置 BJT 偏压与电流的关系 晶体管的三个工作区域 四、温度对晶体管特性的影响 4. 特征频率 f T 4) 特征频率 f T 利用 Multisim 测试晶体管的输出特性 利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。 耗尽型 MOS管 场效应管与三极管的性能比较 场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管 的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 (2)场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm 一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB 控制iC 。 (3)场效应管栅极几乎不取电流；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。 (4)场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 (5)场效应管在源极未与衬底连在一起时，源和漏极可 以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极 与发射极互换使用时，其特性差异很大。 (6)场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输 入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 (7)场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电 路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热 稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广 泛用于大规模和超大规模集成电路中。 各种场效应管的符号和特性曲线 使用场效应管的注意事项 (1) 从场效应管的结构上看，其源极和漏极是对称的，因此源极和漏极可以互换。但有些场效应管在制造时已将衬底引线与源极连在一起，这种场效应管的源极和漏极就不能互换了。 (2)当MOS管的衬底引线单独引出时，应将其接到电路中的电位最低点（对N沟道MOS管而言）或电位最高点（对P沟道MOS管而言），以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，使衬底与沟道及各电极隔离。 (3) MOS管的栅极是绝缘的，感应电荷不易泄放，而且绝缘层很薄，极易击穿。所以栅极不能开路，存放时应将各电极短路。焊接时，电烙铁必须可靠接地，或者断电利用烙铁余热焊接，并注意对交流电场的屏蔽。 利用Multisim测试场效应管的输出特性 部分夹断时沟道随 VDS 的增大逐步变短，相应沟道电阻 RDS 逐步减小，故 iD 随 VDS 的增大而略有增大，这种现象称为 VDS 再增大，会使 PN 结反向击穿 S N G D P P VDS . VGS = 0 沟道部分夹断 iD 沟道调制效应 ③ 在 VGS 和 VDS 同时 作用下，导电沟道 与 iD 的变化情况 S N G D P P VGS VDS . 将 VGS固定在大于 Voff 的各值， 分别讨论沟道 与 iD