5.1 MOS场效应管.pptVIP

场效应晶体管FET (Field Effect Transisitor) 场效应管分类 一、MOSFET结构和电路符号 MOSFET结构和电路符号 二、NEMOSFET工作原理 正常工作条件 源区和漏区的两个N区与衬底之间的PN结必须外加反偏电压。即vDS0。 三、NEMOSFET的输出特性曲线 四、NEMOSFET的转移特性曲线 5.1.2 NDMOSFET的特性曲线 5.1.5 MOSFET的主要参数 MOSFET的主要参数 作业： 5.1.1 5.1.3 * * 场效应管(单极型晶体管）与晶体三极管（双极型晶体管）不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET (Junction FET) 绝缘栅型场效应管MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) 场效应管有两种: N沟道 P沟道 增强型EMOS 按沟道类型分 N沟道NMOS P沟道PMOS （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 按工作方式分 耗尽DMOS P N N g s d N沟道增强型 g s d B P型基底 SiO2绝缘层 金属铝 两个N区 P N N g s d g s d B N 沟道耗尽型 予埋了导电沟道 N P P g s d P 沟道增强型 g s d B N P P g s d g s d B P 沟道耗尽型 予埋了导电沟道 P N N g s d vDS vGS 工作原理： 在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。这样，在漏极电压的作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。 vDS vGS P N N g s d （1）vGS=0时 漏区和源区被隔断,没有导电沟道 iD=0 vGS + - 1. 沟道形成原理 （2）vGS0且vGSVT 漏区和源区仍被隔断 iD=0 （3）vGSVT 形成导电沟道，vDS作用下的漏极电流随vGS增大而增大 反型层 （导电沟道） VT:开启电压 形成反型层所需VGS的值 vDS + - iD （1）vDS很小，沟道宽度保持不变， vDS增大， iD线性增大 2. vDS对沟道导电能力的控制 vGSVT vDS0 （2）vDS增加，vGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 （3）夹断后，即使vDS 继续增加，iD仍呈恒流特性。 vDS + - P N N g s d vGS + - iD 当vDS较大时，靠近d区的导电沟道变窄。 当vDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 iD/mA vDS/V 4.5V 5V 4V vGS=5.5V 3.5V 3V 0 5 10 15 20 25 可变电阻区 iD同时受vGS和vDS的控制 饱和区 截止区 iD受vGS控制，几乎不受vDS的控制 转移特性曲线 VT=3V iD/mA v DS/V 4.5V 5V 4V vGS=5.5V 3.5V 3V 0 5 10 15 20 25 0 1 2 3 4 5 iD/mA v GS/V V DS=10V 耗尽型的MOS管vGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 iD 0 vGS VP iD v DS 0 -0.5V 0V -1V vGS=0.5V 输出特性曲线 -1.5V 5 10 15 20 -1.8V N P P g s d g s d B 5.1.3 PEMOSFET VT=-1.5V vGS/V -4 -3 -2 -1 0 1 iD/mA iD/mA －v DS/V -3V -3.5V -2.5V vGS=-4V -2V -1.5V 0 5 10 15 20 1、开启电压VT（增强型MOS） 当vDS为某一个固定值使iD等于一微小电流时，栅源间的电压为VT。 一、直流参数 2、夹断电压VP（耗尽型FET） 当vDS为某一个固定值使iD等于一微小电流时，栅源之间所加的电压称为夹断电压VP。 3、饱和漏极电流IDSS（耗尽型FET） 在vGS=0的情况下，当 时的漏极电流。 4、直流输入电阻RGS 在漏源之间短路的条件下，栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻就是直流输入电阻RGS。 1、输入电阻rds 表明了vDS对iD的影响。是输出特性某一点上切线斜率的倒数。 二、交流参数 2、低频互导gm 当vDS等于常数时，漏极电流的微变量和