P型硅纳米板压阻特性的理论研究.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２９ ５ 犞狅犾．２９ 犖狅．５ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００８ ５ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犕犪 ２００８ 狔 犘型硅纳米板压阻特性的理论研究  张加宏 黄庆安 于 虹 雷双瑛 　 　 　 　 （东南大学 犕犈犕犛教育部重点实验室，南京　２１００９６） 摘要：考虑量子尺寸效应与自旋轨道耦合作用，从含有应变的６×６犔狌狋狋犻狀犲狉犓狅犺狀哈密顿量出发，采用有限差分方法建 犵 立了 型硅纳米板的能带结构模型 基于硅纳米板压阻特性与其能带结构的相关性，采用改进的压阻理论定量分析了厚 狆 ． 度、杂质浓度与温度对其压阻系数的影响 研究结果表明：量子尺寸效应强烈改变了硅纳米板的能带结构，是其压阻系数增 ． 大的主要因素，而自旋轨道耦合作用仅对含较高应变的硅纳米板的能带结构有较大影响；硅纳米板的压阻系数具有尺寸效 应，随厚度减小而增大，随杂质浓度增加或温度升高而减小 在高简并条件下，硅纳米板的压阻系数与温度无关，完全由杂 ． 质浓度的大小控制；在非简并条件下，情况刚好相反 最后，利用施加应力前后空穴等能面形状的变化定性分析了硅纳米板 ． 压阻特性的起源． 关键词：硅；能带结构；压阻特性；尺寸效应；自旋轨道耦合 ： ； ； 犘犃犆犆 ７２２０犉 ７３２０犇 ７３２０犃 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犘２１２ 犃 ０２５３４１７７２００８０５０９７００５ 　　　 　　　 ［， ］ 狋犻狀犲狉犓狅犺狀哈密顿量 ９１０ 出发，采用有限差分方法建 犵 引言 立了 型硅纳米板的能带结构模型 该模型包含了能带 １ 狆 ． 　 扭曲、自旋轨道作用、应变和量子尺寸效应等因素 然后 ． ［］ １