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参 考 答 案 第1 章　半导体器件 1．1　半导体的基本特性练习题 一、判断题 １．×　２．×　３．√　４．√　５．√　６．×　７．×　８．× 二、填空题 １．导体　　绝缘体 ２．锗　　硅 ３．热敏性　　光敏性　　掺杂性 ４．热敏　　光敏 ５．等于　　小于　　大于 ６．电子电流　　空穴电流 三、 选择题 １．Ｃ，Ｄ　　２．Ｂ　　３．Ｂ　　４．Ａ　　５．Ｃ 四、 简答题 １．半导体具有掺杂性、热敏性和光敏性。 掺杂性是指在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质，则其导电能力将会成百万倍地增 加。 利用这一特性可制造出各种不同用途的半导体器件，如晶体二极管、晶体三极管等。 热敏性是指半导体的电阻率会随温度升高而降低。 利用半导体的热敏性可制成自动控制用 的热敏元件（热敏电阻）。 光敏性是指半导体受到光照时，其导电能力随之增强。 利用半导体的光敏性可制成自动控 制用的光电器件，如光电池、光电管和光敏电阻等。 ２．半导体可分为纯净半导体、Ｐ 型半导体和Ｎ 型半导体。 纯净半导体又称为本征半导体，是指不含杂质的硅或锗晶体。 Ｐ 型半导体是在四价的本征半导体中掺入了三价元素，譬如极小量（一千万之一）的铟，合成 的晶体。 由于三价元素进入四价元素中，因此，晶体结构中就产生了１个空穴。 由于少１个价电 子，因此空穴带正电。 Ｐ 型的“Ｐ”正是取“Ｐｏｓｉｔｉｖｅ（正）”一词的第一个字母。 Ｎ 型半导体是把五价的元素，譬如砷，掺入四价的本征半导体中，因此，产生多余 １个价电 子，价电子显负电性。 Ｎ 是从“Ｎｅｇａｔｉｖｅ（负）”中取的第一个字母。 ３．这一说法不正确。 Ｎ 型半导体的价电子挣脱原子核的束缚就成为自由电子，而少了价电子的原子对应形成正 离子。 对于整个 Ｎ 型半导体来说，每产生一个自由电子，就对应形成一个正离子，自由电子与正 离子数量相等，故成电中性。 149 ························································································································· 参考答案 ················ 1．2　晶体二极管练习题 一、判断题 １．×　２．×　３．×　４．√　５．√　６．× 二、填空题 １．高　　低　　导通　　截止 ２．塑料　　负　　正 ３．击穿 ４．单向导电性　　最大整流电流　　最高反向工作电压　　反向饱和电流　　最高工作频率 ５．０．５　　０．７ ６．０．２　　０．３ ７．锗　　硅 三、 选择题 １．Ｃ　　２．Ａ　　３．Ｂ　　４．Ｃ　　５．Ｄ　　６．Ｂ 四、 分析题 １．I ＝０ｍＡ，V ＝１０Ｖ。 Ｄ Ｄ ２．V ＝５Ｖ，二极管导通，V ＝４．３Ｖ；V ＝－５Ｖ，二极管截止，V ＝０Ｖ。 Ａ Ｂ Ａ Ｂ 五、 简答题 测其正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。 1．3　特殊二极管练习题 一、判断题 １．×　２．√　３．×　４．×　５．√　６．√ 二、填空题 １．相同　　陡直 ２．Iｚｍａｘ ～Iｚｍｉｎ ３．０．７Ｖ　　７．５ Ｖ ４．几至几十毫安　　１．５～２．５ Ｖ ５．大　　小 ６．减小　　增大 ７．光电流 ８．光电二极管 三、 选择题 １．Ｃ　　２．Ｄ　　３．Ａ