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第3 篇 功率器件
第3 篇 功率器件
第 9 章 功率晶体管(GTR )
第10 章 门极关断晶闸管(GTO )
第11 章 功率场效应晶体管(VMOS )
第12 章 绝缘栅双极型晶体管(IGBT )
3-1
第9章 功率晶体管(GTR )
§9.1 GTR的特性与保护
一、GTR的特性和参数
GTR的结构特性:
GTR的基本结构、电路符号、共射极伏安特性和共射极电流增益特性
3-2
GTR的主要参数:
放大系数:hFE=IC /IB
最大电流:ICM
饱和压降:VCE(sat) (饱和应适度)
最大功耗:P =I ·V =(T -T ) /R
CM C on jm C jC
击穿电压:VCEX等(反偏时最高)
dv /dt、di /dt耐量:即最大允许值
(dv/dt过大,易误导通;di/dt过大,易局部烧坏)
开关时间:ton ,toff (影响开关速度和开关损耗)
t =t +t ; t =t +t
on d r off s f
开关损耗:PSW =Pon +Poff
安全工作区:SOA (I、V 、P应在SOA 内)
3-3
GTR开关过程的电流波形 GTR的二次击穿特性
开关损耗 安全工作区
3-4
二、GTR的驱动与保护
GTR的驱动电路:
最优驱动电流波形 抗饱和电路
欠饱和:Von大,功耗大;过饱和:toff大,关断速度慢;准饱和:较合适。
GTR的典型驱动电路
3-5
光耦互补驱动电路 磁耦隔离驱动电路
GTR的保护电路:
GTR的缓冲电路 GTR的过流保护电路
3-6
§9.2 GTR应用举例
一、逆变电路
单相逆变电路
三相逆变电路
3-7
二、其他应用
单端驱动电机正反转电路
斩波电路
3-8
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