传输矩阵法研究垂直腔半导体光放大器增益特性.pdfVIP

第 29卷 　第 4 期 激 　　光 　　技 　　术 Vol. 29,No. 4 2005年 8月 LA SER TECHNOLO GY A ugu st, 2005 　　文章编号 : (2005) 04 037703 传输矩阵法研究垂直腔半导体光放大器增益特性 贾习坤 ,罗 　斌 ,潘 　炜 ,姚海峰 ,曹昌胜 ( 西南交通大学 计算机与通信工程学院 ,成都 6 1003 1 ) ( ) 摘要 : 利用传输矩阵法研究垂直腔半导体光放大器 VCSOA s 的增益及其带宽特性 。研究了不同载流子浓度 、DBR 膜层数对增益特性的影响 ,发现了有源区内量子阱堆位置的改变将导致增益峰值波长移动 。数值计算结果与实验结果 相吻合 。 关键词 : 垂直腔半导体光放大器 ;增益 ;带宽;传输矩阵 中图分类号 : TN 248. 4　　　文献标识码 : A Research of ga in of vertica l cav ity sem iconductor optica l am plif ier s ba sed on tran sfer m a tr ix m ethod J IA X ikun, L UO B in, PAN W ei, YA O H a if eng, CA O Chang sheng (D ep artm ent of Comp uter and Comm un ication Engineering, Southwest J iaotong U n iversity, Chengdu 61003 1, Ch ina) Ab stract: The gain and bandw idth of vertical cavity sem iconductor op tical amp lifiers (VCSOA s) were studied based on tran sfer m atrix m ethod. The differen t carrier den sity and layers num ber of DBR w ill affect the gain characteristic and the wavelength of the p eak gain w ill sh ift w ith the variation of po sition of the quan tum well stack s in active region. The re su lt of calcu lation is agreem ent w ith the exp erim en t. Key word s: vertical cavity sem iconductor op tical amp lifiers; gain; bandw idth; tran sfer m atrix 长度修正为有源区长度与两个 DBR 等效长度之和 [ 5 ] , 引　言 此时可以将 VCSOA s腔体看作由 DBR 硬镜面和长度 ( )