CTK——最优的斩波控制技术.docVIP

CTK——最优的斩波控制技术 无论何种产品，可靠性都是第一位的，斩波技术的实施，同样要以可靠性作为首要条件。首先我们了解一下高压内馈调速所要求的斩波参数，看看目前什么器件能够满足实际需求。 我国的高压异步机最小容量为220KW，工业应用较为普遍的是220——2500KW，根据内馈调速的工作原理，斩波器件的电压范围为1200——3000V，电流则为500——1500A，如果不能满足以上要求，产品的可靠性将会降低。 其实，斩波器的工作状态十分简单，那就是开、关工作。因此只要选择控制功率小的半导体器件，都可以方便地实现斩波。问题在于高电压、大电流的斩波器，目前是否有能够可靠地承担开关工作的半导体器件？遗憾的是，迄今为止还没有可靠、经济的器件满足斩波的要求，这就是斩波没有得到推广的根本原因。 要提高斩波工作的可靠性，另外一项重要的技术要求是：斩波器件能够迅速地实现由开到关，或者由关到开的过度，尽量避免滞留在开、关之间的放大区，原因是放大区斩波器件内阻非常大，电流通过时将产生严重发热，极大影响斩波器件的工作安全。当然，最好器件本身就没有放大区，斩波可靠性自然提高。 纵观目前的电力电子器件，按工作性能可以划分为晶闸管和晶体管两大类别，两者的机理不同，技术性能也有区别。普通的晶闸管具有 电压高（单管可达7000V） 电流大（单管可达6000A） 可靠性高（耐过压、过流能力是目前所有电力电子器件中最强的） 没有放大区 技术成熟 经济、廉价 等优点，但缺点是不能通过门极（控制极）自关断，如果作为开关工作，必须在主极两端施以反压，技术上较为困难，因此，普通闸流管很难在直流状态下作为开关工作，也就给斩波应用带来困难，闸流管所有的优点也就无法得以发挥和体现。 为了克服闸流管存在的缺点，自六十年代以来，电力电子界作出了巨大的努力，研制出门极可关断的特种晶闸管——GTO，解决了普通晶闸管的致命缺点。但是，GTO在解决关断问题的同时，技术上又产生新的问题，除了关断电流大，控制复杂之外，关断时产生的电流分布不均匀问题将导致器件局部剧烈发热而损坏，使GTO的可靠性降低，加之触发功率大，因此GTO一直没有得到广泛应用。 大功率三极管类突出的优点是关断性好，因此可以最简单地实现斩波，但是，由于大功率的条件限制，问题就远没有这样简单了。大功率三极管目前普遍存在的缺点是 过电压和过电流能力差，易损坏 存在放大区，开关损耗大 存在擎住（自锁）现象，一旦发生导致器件损坏 点状芯片结构，多片并联，不能作成大面积芯片，可靠性和散热性差。 因此在大功率的斩波应用中暴露出很多问题。 最早问世的大功率三极管是GTR，曾经在早期的变频调速中应用，由于存在二次击穿等问题，很快被淘汰。 IGBT是场效应三极管和GTR的结合，IGBT较为成功地解决了GTR的二次击穿问题，而且实现了小功率电压型控制，但是上述的根本问题依然存在并没有解决。IGBT存在的主要缺点是过电压和过电流能力太弱，器件的标称电压和电流与实际应用值相差甚远，举例来说，标称100A的IGBT，实际工作电流必须打一半以上的折扣，不到50A，而且在过载2倍时，必须在1毫秒的极短时间内有效保护，否则就将导致器件损坏。而同样100A的晶闸管，工作电流可以达到157A，是标称值的1.57倍，而过载10倍电流时，承受能力长达10ms，是IGBT的十倍。另外，目前的IGBT单管电流只能做到150A，大于150A的器件要采用内部并联，由于器件单元的离散性，不可能完全均流，因此在大电流应用时特别要注意。 IGBT目前完全依赖进口，不仅给维修带来困难，成本也很高，而且国外供应商对于我们的特殊技术参数通常不予理睬，实际应用中发生问题自然难以避免。我们也曾经在研发过程中采用过GTR和IGBT等三极管斩波，结果很不理想，只要电路发生过压和过流，斩波器件就极易损坏，由于调速存在很多过渡过程，因此要从根本上避免过压和过流，技术上是无法办到的。 为了实现高可靠的大功率斩波控制，理想的方法是：斩波器导通应该具有过流能力强，损耗小的晶闸管特性；斩波器关断应该具有控制简单、性能可靠的晶体管。显然，目前单一的晶闸管和IGBT等晶体管都不能满足上述的技术要求。 近年来，ABB公司为了解决这一问题，集中了一批半导体杰出专家，从理论和实践两个方面研究，终于探索得出：“半导体的理论和实践证明，晶闸管是最理想导通器件，而IGBT等晶体管是理想的关断器件，作为大功率的半导体开关，应该是两者的结合，即导通是晶闸管，关断是晶体管，这就是GCT技术”的结论（瑞士、朗斯伯格、《IGCT的技术特点与前景》） 。2000年初，以GCT技术为核心器件，结合门极集成化，成功地推出IGCT集成门极换向晶闸管，在大功率、高电压应用领域展现出前所未有的优势。 但是，IGCT刚刚推出，目前尚处于初级