半导体物理第七版 答案.doc

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半导体物理习题解答 1-1.(P32)设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为: Ec(k)=+和Ev(k)= -; m0为电子惯性质量,k1=1/2a;a=0.314nm。试求: ①禁带宽度; ②导带底电子有效质量; ③价带顶电子有效质量; ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据=+=0;可求出对应导带能量极小值Emin的k值: kmin=, 由题中EC式可得:Emin=EC(K)|k=kmin=; 由题中EV式可看出,对应价带能量极大值Emax的k值为:kmax=0; 并且Emin=EV(k)|k=kmax=;∴Eg=Emin-Emax== ==0.64eV ②导带底电子有效质量mn ;∴ mn= ③价带顶电子有效质量m’ ,∴ ④准动量的改变量 △k=(kmin-kmax)= [毕] 1-2.(P33)晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E,∵F=h=qE(取绝对值) ∴dt=dk ∴t==dk= 代入数据得: t==(s) 当E=102 V/m时,t=8.3×10-8(s);E=107V/m时,t=8.3×10-13(s)。 [毕] 3-7.(P81)①在室温下,锗的有效状态密度Nc=1.05×1019cm-3,Nv=5.7×1018cm-3,试求锗的载流子有效质量mn*和mp*。计算77k时的Nc和Nv。已知300k时,Eg=0.67eV。77k时Eg=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77k,锗的电子浓度为1017cm-3,假定浓度为零,而Ec-ED=0.01eV,求锗中施主浓度ND为多少? [解] ①室温下,T=300k(27℃),k0=1.380×10-23J/K,h=6.625×10-34J·S, 对于锗:Nc=1.05×1019cm-3,Nv=5.7×1018cm-3: ﹟求300k时的Nc和Nv: 根据(3-18)式: 根据(3-23)式: ﹟求77k时的Nc和Nv: 同理: ﹟求300k时的ni: 求77k时的ni: ②77k时,由(3-46)式得到: Ec-ED=0.01eV=0.01×1.6×10-19;T=77k;k0=1.38×10-23;n0=1017;Nc=1.365×1019cm-3; [毕] 3-8.(P82)利用题7所给的Nc和Nv数值及Eg=0.67eV,求温度为300k和500k时,含施主浓度ND=5×1015cm-3,受主浓度NA=2×109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少? [解]1) T=300k时,对于锗:ND=5×1015cm-3,NA=2×109cm-3: ; ; ; ; 2)T=300k时: ; 查图3-7(P61)可得:,属于过渡区, ; 。 (此题中,也可以用另外的方法得到ni: 求得ni)[毕] 3-11.(P82)若锗中杂质电离能△ED=0.01eV,施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3及1017cm-3,计算(1)99%电离,(2)90%电离,(3)50%电离时温度各为多少? [解]未电离杂质占的百分比为: ; 求得: ; ∴ ND=1014cm-3,99%电离,即D_=1-99%=0.01 即: 将ND=1017cm-3,D_=0.01代入得: 即: 90%时,D_=0.1 即: ND=1017cm-3得: 即:; 50%电离不能再用上式 ∵ 即: ∴ 即: 取对数后得: 整理得下式: ∴ 即: 当ND=1014cm-3时, 得 当ND=1017cm-3时 此对数方程可用图解法或迭代法解出。[毕] 3-14.(P82)计算含有施主杂质浓度ND=9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。 [解]对于硅材料:ND=9×1015cm-3;NA=1.1×1016cm-3;T=300k时 ni=1.5×1010cm-3: ; ∵且 ∴ ∴ [毕] 3-18.(P82)掺磷的n型硅,已知磷的电离能为0.04eV,求室温下杂质一般电离时费米能级的位置和磷的浓度。 [解]n型硅,△ED=0.044eV,依题意得: ∴ ∴ ∴ ∵ ∴ [毕] 3-19.(P82)求室温下掺锑的n型硅,使EF=(EC+ED)/2时的锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。 [解]由可知,EFED,∵EF标志电子的填充水平,故ED上几乎全被电子占据,又∵在室温下,故此n型Si应为高掺杂,而且已经简并了。 ∵ 即 ;故此n型Si应为弱简并情况。 ∴ ∴ 其中 [毕] 3-20.(P8

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