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第12章 集成逻辑门电路
12.1 半导体二极管和晶体管的开关特性
12.2 TTL“与非”门电路
12.3 场效应晶体管与MOS逻辑门
12.4 正逻辑与负逻辑
12.1 半导体二极管和晶体管的开关特性
12.1.1 晶体二极管的开关特性
12.1.2 晶体管的开关特性
12.1.3 由二极管与晶体管组成的基本逻辑门电路
12.1.1 晶体二极管的开关特性
12.1.1.1 晶体二极管开关的静态特性曲线
12.1.1.2 二极管的瞬态开关特性
12.1.1.3 产生反向恢复过程的原因
12.1.1.1 晶体二极管开关的静态特性曲线
图12-1 二极管的静态特性曲线
12.1.1.1 晶体二极管开关的静态特性曲线
图12-2 二极管线性化
特性曲线
12.1.1.1 晶体二极管开关的静态特性曲线
图12-3 理想二极管的伏安特性
12.1.1.2 二极管的瞬态开关特性
1)当t≤t时,u=U ,二极管正向导通,此时
1 i F
2)当t=t 瞬间,输入电压u (t)突然由U跃降到-U ,在满足条件r1 i F R R
R的条件下,如果二极管是一个理想开关,则通过它的电流应从U
F
/R突然下降到-I ,二极管上的压降则应近似等于所加的反向电压-S
UR,其i (t)、u (t)的理想波形如图12-5b、c所示。D D
3)当t=t 时,输入电压u (t)由-U返回到U ,二极管将由反向截止2 i R F
过渡到正向导通。
12.1.1.2 二极管的瞬态开关特性
图12-4 二极管开关电路
12.1.1.2 二极管的瞬态开关特性
图12-5 理想二极管的开关特性
12.1.1.2 二极管的瞬态开关特性
图12-6 二极管的瞬态开关特性
12.1.1.3 产生反向恢复过程的原因
图12-7 二极管多余的少数载流子浓度分布
12.1.2 晶体管的开关特性
12.1.2.1 晶体管的稳态开关特性
12.1.2.2 晶体管的瞬态开关特性
12.1.2.1 晶体管的稳态开关特性
图12-8 基本单管共射电路及其传输特性
12.1.2.2 晶体管的瞬态开关特性
1.延迟时间(Delay
2.上升时间t 的产生r
3.存储时间t 的产生
s
4.下降时间tf的产生
12.1.2.2 晶体管的瞬态开关特性
图12-9 晶体管的瞬态开关特性
12.1.3 由二极管与晶体管组成的基本逻辑门电路
12.1.3.1 二极管“与”门和“或”门电路
12.1.3.2 晶体管“非”门电路
12.1.3.3 复合门电路
12.1.3.1 二极管“与”门和“或”门电路
1.“与”门电路
2.“或”门电路
1.“与”门电路
图12-10 二极管“与”门电路
2.“或”门电路
图12-11 二极管“或”门电路
12.1.3.2 晶体管“非”门电路
图12-12 晶体管“非”门电路
12.1.3.3 复合门电路
图12-13 DTL“与非”门电路
12.2 TTL“与非”门电路
12.2.1 典型TTL“与非”门电路
12.2.2 TTL“与非”门的电压传输特性
12.2.3 TTL“与非”门的主要参数
12.2.4 TTL门电路的改进
12.2.5 集电极开路TTL电路(OC门)
12.2.6 三态TTL
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