半导体物理与器件课件教学配套课件裴素华第5章半导体器件.pdfVIP

第五章半导体器件制备技术 5.1 晶体生长和外延 5.1.1 晶体基本生长技术 Si的制备过程一般为:  SiC （固体）+ SiO2 （固体）→Si （固体）+SiO （气体） +CO （气体）  Si （固体）+3HCl （气体）→SiHCl3 （气体）+H2 （气 体）  SiHCl3 （气体）+H2 （气体）→Si （固体）+3HCl （气体） 柴可拉斯基式拉晶仪的简示图 5.1.2 晶体外延生长技术 外延是一种采取化学反应法进行晶体生长的另一种技 术。在一定条件下，以衬底晶片作为晶体籽晶，让原 子（如硅原子）有规则地排列在单晶衬底上，形成一 层具有一定导电类型、电阻率、厚度及完整晶格结构 的单晶层，由于这个新的单晶层是在原来衬底晶面向 外延伸的结果，所以称其为外延生长，这个新生长的 单晶层叫外延层。最常见的外延生长技术为化学气相 淀积（CVD ）和分子束外延生长（MBE）。  外延生长的基本原理 氢还原四氯化硅外延生长原理示意图  硅的CVD外延 化学气相淀积是指通过气态物质的化学反应在衬底上 淀积一层薄膜材料的过程。 APCVD反应器的结构示意图 LPCVD反应器的结构示意图 平板型PECVD反应器的结构示意图  分子束外延 分子束外延（MBE）是在超高真空条件下一个或多个热 原子或热分子束蒸发到衬底表面上形成外延层的方 法。 砷化镓相关的Ⅲ- Ⅴ族化合物的MBE系统示意图 5.2 硅的热氧化 5.2.1 SiO 的结构、性质与作用 2  SiO2的结构和物理性质 二氧化硅从结构上可分为结晶型和非结晶型二氧化硅两种 SiO2网络结构示意图 （a ）SiO2 的基本结构单元 （b）结晶型SiO2 （c ）无定型SiO2  SiO2的化学性质 室温下二氧化硅只与氢氟酸反应 SiO +6HF→H （SiF ）+2H O 2 2 6 2  SiO2的作用 5.2.2硅热氧化形成SiO 的机理 2  对硅半导体器件而言，大部分的SiO 层都是用热氧化 2 方法生长的，常用的热氧化方法有三种：干氧、湿氧 和水汽氧化。Si在氧气或水汽的环境下，进行热氧化 的化学反应式为：  Si （固体）+O2 （气体）→SiO2 （固体）  Si （固体）+2H O （气体）→SiO （固体）+2H （气 2 2 2 体） SiO 生长过程示意图 2 5.2.3 SiO 的制备方法 2  干氧氧化 干氧氧化是指在1000℃以上的高温下，直接通入氧气 进行氧化的方法。  水汽氧化 水汽氧化指的是在高温下，硅片与高温水蒸气发生反 应生成SiO2的方法。  湿氧氧化 湿氧氧化一般是指氧化携带95℃左右的水气与硅片一 起发生反应生成SiO2的方法。  冷水自然滴法氧化 与上述常规湿氧氧化的唯一不同的地方是，是氧气携 带着室温下的冷水一起进入石英管道。 干湿干方法氧化炉