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CdS/CdTe, Cu(In, Ga)Se2 based solar cell 林思佑 鄭欣彥 前言: 太陽能電池(solar cell)是實現太陽能發電最重要的發明，主要是 利用光伏打效應 (photovoltaic effect) ，將光能吸收後直接轉換成電 能的一種 P/N 接面(p-n junction)半導體(semiconductor)裝置，如圖 1-1所示。為達太陽能電池大面積與普及化的理想，發展薄膜太陽 能電池 (thin film solar cell)是一項不可避免的趨勢。因其具有低成 本、大量生產、簡單製程等特性，如圖1-2 。 近年來，伴隨著IC 產業及技術的蓬勃發展，導致薄膜太陽能 電池之製造技術也更趨成熟穩定，然而，在各種運用於薄膜太陽能 電池之半導體材料如非晶矽 (a-Si) 、銻化鎘(CdTe) 、二硒化銅銦 (CuInSe2)之中又以I-III-VI2 族化合物半導體二硒化銅銦(CuInSe2) 為最佳，主要乃因其為直接能隙(direct bandgap)的半導體材料，且 其能隙值能涵蓋大部分之太陽光譜，具有相當高的光吸收係數（如 圖 1-3所示），並可藉由調變本身的組成來得到 p-n junction 以及 熱穩定性佳在長時間使用下依然能維持良好的元件特性等優點，所 以相當適合用來作為高效率太陽能電池之主吸收層(main absorber layer)材料。 CuInSe 薄膜太陽能電池之研究發展: 2 1974 年，貝爾實驗室(Bell Telephone Laboratories)宣稱發 明出第一個單晶 CuInSe2 太陽能電池，且能量轉換效率超過6% 。1982 年，波音公司建立CdS/CuInSe2 薄膜太陽能電池，且效率超過10% 。 1993 年，EuroCIS 使用 CdS/Cu(In,Ga)Se2 結構，成功將效率提 升至15%左右。1996 年，NREL 利用與 EuroCIS 相同之結構加以 改良並將效率提升至 17.7% 。直至今年為止，NREL已經將效率再 往上提升至 19.2% 。然而下一階段不僅僅於效率之提升外，應該也 要著重環境污染問題才是。因此利用其他材料來取代 CdS(window layer)用於發展 Cu(In,Ga)Se2 太陽能電池已成為不可避免的趨勢。 CuInSe2材料結構: CuInSe2 本身具黃銅礦結構(Chalaopyrite) ，如圖1-4所示，屬於 I-III-VI 族化合物，基本上，它是由II-VI 族化合物衍化而來的，其 中第二族元素可以用第一族 (Cu)與第三族(In)元素所取代而形成三 元素化合物。另外，由圖1-5中之 γ相顯示在常溫時其化學組成區 間約達 5 mole% ，這意味著，即使偏離定比組成(Cu ：In ：Se=1 ：1 ： 2)相當程度下，但只要確保該材料之化學組成仍然在此區間內，則 仍然會具有黃銅礦結構以及相同之化性與物性。更值得一提的是， CuInSe2 甚至可以直接藉由化學組成的調變直接得到P-type(Cu-rich) 或者是 N-type(In-rich)不同的導電形式而不需藉助外加雜質(doping) 的方式。 圖 1-1. pn-接面太陽能電池