SOI纳米线波导和相关器件研究进展.pdfVIP

维普资讯 《半导体光 电}2007年 2月第 28卷第 1期 徐学俊 等： SOI纳米线波导和相关器件研究进展 SO1纳米线波导和相关器件研究进展 ， 徐学俊 余金 中，陈少武 (中国科学院半导体研究所 集成光 电子国家重点实验室 ，北京 100083) 摘 要 ： SOI纳米线波导具有对光场限制作用强、传输损耗低 、弯曲半径小、集成度 高、与传 统 CMOS工艺兼容等优点，采用SOI纳米线波导能够大大缩 小光子器件的长度和面积，提 高器件 工作速度和效率，降低器件功耗。介绍 了S0I纳米线波导在模式、损耗 、偏振等方面与传统大尺寸 硅基波导所表现出来的不同特性，评述 了当前关于SOI纳米线波导和基于SOI纳米线波导光子器 件的最新研究进展 。 关键词： 光子集成回路 ；纳米线波导；上／下路滤波器；调制器；光开关