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第八章 大规模集成电路 第二节 随机存取存储器（RAM） 2.位扩展法 第三节 只读存储器(ROM) 一、功能和结构 * * 大规模集成电路是指集成度达到每片包含1000个元件（或等效100个门）以上的集成电路，而超超大规模的集成电路，每片元件数可达百万个。 大规模集成电路的集成度高，包含了很多组合逻辑电路和时序逻辑电路，形成了具有复杂逻辑功能的数字系统。 大规模集成电路的种类很多，按其应用角度可以分为两大类： 一类为通用形，如各种形号的存储器、微处理器；另一类属于专用形，只能在少数设备中使用。 大规模集成电路从制造工艺的角度，也可以分为两大类: 一类为双极型，另一类是MOS型大规模集成电路 应用大规模集成电路后，可以有效地提高电子设备的性能，可以大大减少设备的体积和重量，降低功耗 本章节主要介绍组成大规模集成电路蝗基本单元电路,它们是组成各种大规模集成器件的基础. 第一节 动态移位寄存器和顺序存取存储器(SAM) 在第六章中介绍的移位寄存器属于静态移存器,由于它的功耗和占用基片面积都相当大,不适合于大规模集成,这一节讨论适合大规模集成的动态移存器. 动态移存器利用MOS管的栅极和基片之间的输入电容来暂存信息,在充电后,即使去掉输入信号,电容中的信号不会马上放掉,至少可以维持几毫秒.故必须在移位脉冲不断作用下,才能长久保存信息.所以它只能在动态中运用,故称之为动态移存器. 一、动态MOS反相器 1.动态有比MOS反相器 2.动态无比MOS反相器 二、动态MOS移位寄存器单元 1.两相动态有比移位寄存器单元 2.两相动态无比移位寄存器单元 3.CMOS动态移存单元 三、K位动态移位寄存器 四、顺序存取存储器 1.先入先出顺序存取存储器 2.先入后出顺序(FILO)存储器 　　随机存取存储器又叫随机读/写存储器，简称RAM，指的是可以从任意选定的单元读出数据，或将数据写入任意选定的存储单元。 　　优点：读写方便，使用灵活。 　　缺点：掉电丢失信息。?　 　　分类： SRAM （静态随机存取存储器） 　　　 DRAM （动态随机存取存储器） RAM的结构和读写原理 　　 　（1）RAM 的结构框图 图8-1 RAM 的结构框图 I/O端画双箭是因为数据即可由此端口读出，也可写入 　　① 存储矩阵 共有28（＝256）行×24（＝16）列共212（＝4096）个信息单元（即字） 每个信息单元有k位二进制数（1或0） 存储器中存储单元的数量称为存储容量（＝字数×位数k）。 　　② 地址译码器 行地址译码器：输入8位行地址码，输出256条行选择线（用x表示） 列地址译码器：输入4位列地址码，输出16条列选择线（用Y表示） ③ 读写控制电路 　 当R/W =0时，进行写入(Write)数据操作。 当R/W =1时，进行读出(Read)数据操作。 　　图8-2 RAM存储矩阵的示意图 　　2564（256个字，每个字4位）RAM存储矩阵的示意图。 　　如果X0＝Y0＝1，则选中第一个信息单元的4个存储单元，可以对这4个存储单元进行读出或写入。 (2)RAM 的读写原理 （以图8－1为例） 　　 当CS =０时，RAM被选中工作。　　 若 A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=000000000000 表示选中列地址为A11A10A9A8=0000、行地址为A7A6A5A4A3A2A1A0存储单元。 此时只有X0和Y0为有效，则选中第一个信息单元的k个存储单元，可以对这k个存储单元进行读出或写入。 　　若此时R/W＝1，则执行读操作，将所选存储单元中的数据送到I/O端上。 　　若此时R/W=0时，进行写入数据操作。 当CS=1时，不能对RAM进行读写操作，所有端均为高阻态。 　 RAM的存储单元按工作原理分为： 静态存储单元：利用基本RS触发器存储信息。保存的信息不易丢失。 动态存储单元：利用MOS的栅极电容来存储信息。由于电容的容量很小，以及漏电流的存在，为了保持信息，必须定时给电容充电，通常称为刷新。 图8-2-3所示为用6只N沟道增强型MOS管组成的静态单元,其中T1~T2管组成RS触发器,T5~T6管为门控管,作为模拟开关使用,以控制触发器的Q端、Q 端与位线Bj、B之间的联系。现在分析它的工作