数字电子技术基础 阎石 第三章2.pptVIP

双极型三极管的开关特性 （BJT, Bipolar Junction Transistor） 一、双极型三极管的结构 管芯 + 三个引出电极 + 外壳 以NPN为例说明工作原理： 二、三极管的输入特性和输出特性 三极管的输入特性曲线（NPN） 三极管的输出特性 三、双极型三极管的基本开关电路 工作状态分析： 图解分析法： 四、三极管的开关等效电路 五、动态开关特性 六 、三极管反相器 三极管的基本开关电路就是非门 实际应用中，为保证 VI=VIL时T可靠截止，常在 输入接入负压。 二、电压传输特性 二、电压传输特性 二、电压传输特性 3.5.5其他类型的TTL门电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2. 或非门 4. 异或门 二、集电极开路的门电路 1、推拉式输出电路结构的局限性 ① 输出电平不可调 ② 负载能力不强，尤其是高电平输出 ③ 输出端不能并联使用 OC门 2、OC门的结构特点 OC门实现的线与 3、外接负载电阻RL的计算 3、外接负载电阻RL的计算 3、外接负载电阻RL的计算 三、三态输出门（Three state Output Gate ,TS） 三态门的用途 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 3.5 TTL门电路3.5.1 半导体三极管的开关特性 基区薄 低掺杂 发射区高掺杂 集电区低掺杂 当VCC VBB be 结正偏, bc结反偏 e区发射大量的电子 b区薄，只有少量的空穴 bc反偏，大量电子形成IC VON ：开启电压 硅管，0.5 ~ 0.7V 锗管，0.2 ~ 0.3V 近似认为: VBE VON iB = 0 VBE ≥ VON iB 的大小由外电路电压，电阻决定 固定一个IB值，即得一条曲线， 在VCE 0.7V以后，基本为水平直线 特性曲线分三个部分 放大区：条件VCE 0.7V, iB 0, iC随iB成正比变化， ΔiC=βΔiB。 饱和区：条件VCE 0.7V, iB 0, VCE 很低，ΔiC 随ΔiB增加变缓，趋于“饱和”。 截止区：条件VBE = 0V, iB = 0, iC = 0, c—e间“断开” 。 只要参数合理： VI=VIL时，T截止，VO=VOH VI=VIH时，T导通，VO=VOL 截止状态 饱和导通状态 从二极管已知，PN结存在电容效应。 在饱和与截止两个状态之间转换时，iC的变化将滞后于VI，则VO的变化也滞后于VI。 iC＝ICS≈ 很小，约为数百欧，相当于开关闭合 可变 很大，约为数百千欧，相当于开关断开 c、e间等效内阻 VCES ≈ 0.2~0.3 V VCE＝VCC－iCRc VCEO ≈ VCC 管压降 且不随iB增加而增加 ic ≈ ?iB iC ≈ 0 集电极电流 发射结和集电结均为正偏 发射结正偏，集电结反偏 发射结和集电结均为反偏 偏置情况 工作特点 iB iB≈0 条件 饱 和 放 大 截 止 工作状态 BJT的开关条件 0 iB 参数合理？ VI=VIL时，T截止，VO=VOH VI=VIH时，T截止，VO=VOL 输出级 T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。 中间级T2和电阻Rc2、Re2组成，从T2的集电结和发射极同时输出两个相位相反的信号，作为T3和T4输出级的驱动信号； R b1 4k W R c 2 1.6k W R c 4 130 W T 4 D T 2 T 1 + – v I T 3 + – v O 负载 R e2 1K W V CC (5V) 输入级 中间级 输出级 TTL反相器的基本电路 1. 电路组成 输入级T1和电阻Rb1组成。用于提高电路的开关速度 2. TTL反相器的工作原理（逻辑关系、性能改善） （1）当输入为低电平（?I = 0.2 V） T1 深度饱和 截止 导通 导通 截止 饱和 低电平 T4 D4 T3 T2 T1 输入 高电平 输出 T2 、 T3截止，T4 、D导通 （2）当输入为高电平（?I = 3.6 V） T2、T3饱和导通 T1:倒置的放大状态。 T4和D截止。 使输出为低电平. vO=vC3=VCES3=0.2V 0