电子技术第1.2章.pptVIP

发射结两端加正偏电压集电结两端加反偏电压 电路如左图，通过稳压管的电流 IZ等于多少？R是限流电阻，其值是否合适？ 稳压二极管的应用举例 IZ DZ R=1.6kΩ IZ IZmax , 电阻值合适。 解： UZ ＝12V ＋20V IZmax ＝18mA 例4： uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的参数: 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 ——方程1 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时，负载电压基本不变。 2）令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。据KCL得 ——方程2 联立方程1、2，可解得： 解： 1）令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。据KCL得 左回路，据KVL得： 左回路，据KVL得： a b c d e f g 发光二极管 510? Ya Yb Yg a b g 510? 510? LED 2. 发光二极管 NPN型三极管 三极管符号 N P N C B E P N P C B E B E C T B E C T PNP型三极管 C B E N N P 1.3.1 基本结构、类型与符号 §1.3 半导体三极管 结构特点： 发射极掺杂浓度最大； 基区掺杂浓度最小，宽度最窄； 集电极面积最大。 以使晶体管具有放大作用。 三极管起放大作用的条件是: 发射结 集电结 基极 B E C N N P 发射极 集电极 + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 基区： 较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺杂浓度较高 集电结 发射结 基极 B C E P P N 集电极 发射极 + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ NPN型 PNP型 基区： 较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺杂浓度较高 1.3.2 电流分配和放大原理 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散形成 IEP 。 IEP 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结边缘。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEN。 IBN IEN IB=IBN+ IEP IB B E C N N P EB RB EC IE IEP IBN IEN IB=IBN+ IEP IB 集电结反偏，使内电场增强，从发射区扩散到基区并到达集电结边缘的电子，在内电场的作用下，漂移进集电区，形成 ICN 。 ICN 集电结反偏，有少子发生漂移运动，形成极小的 反向电流ICBO。 ICBO IC = ICN+ICBO ?ICN –ICBO ?IBN 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEN。 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，大部分扩散到集电结边缘。 基区空穴向发射区的扩散形成 IEP 。 ICBO 直流电流放大倍数 ICN与IBN之比称为直流电流放大倍数： NPN型三极管 PNP型三极管 B E C T IB IE IC B E C T IC IB IE 三极管的电流方向和发射结与集电结所处的极性： ＋ ＋ ＋ ＋ 1.3.3 晶体管特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验电路 一、共射极接法晶体管输入特性曲线 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.2V。 输入特性曲线是指UCE为常数时， IB与UBE之间的关系曲线。即： 二、共射极接法晶体管输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB 称为线性区（放大区）； UBE ＝0.7V。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 输出特性曲线是指IB 为常数时， IC与UCE之间的关系曲线。即： IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，称为饱和区。 UCEs ?0.3V IC