半导体二极管的识别、检测和选用.docVIP

教学环节 教学过程及主要内容 半导体材料 半导体二极管由纯度极高的半导体晶体（硅或锗）掺入少量杂质（砷或硼）制成，依照掺入杂质及其所体现出的性能不同分为N型半导体和P型半导体。N型半导体的多数载流子是电子，P型半导体的多数载流子是空穴。 二、二极管的基本结构 把PN结用管壳封装，然后在P区和N区分别向外引出一个电极，即可构成一个二极管。二极管是电子技术中最基本的半导体器件之一。根据其用途分有检波管、开关管、稳压管和整流管等。 二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图1-1所示,在图1-1(b)所示电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向。 :根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管,其结构如图1-2所示。 点接触型：结面积小，适用于高频检波、脉冲电路及计算机中的开关元件。 面接触型：结面积大，适用于低频整流器件。 三、二极管的基本特性 半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。 若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来,就构成二极管的伏安特性曲线,如图1-3所示（图中虚线为锗管的伏安特性,实线为硅管的伏安特性）。 说明： 1)正向特性 二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V,如图中OA(OA′)段。 当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V,如图中AB(A′B′)段。 二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。 2)反向特性 二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图中OC（OC′）段。 3)反向击穿特性 二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图中CD(C′D′)段。 4)温度对特性的影响 由于二极管的核心是一个PN结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。 四、二极管的种类 二极管的种类很多，按材料分有硅、锗、砷化镓等；按结构分有点接触、面接触、平面型等；按用途有检波二极管、整流二极管、开关二极管、稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光敏二极管等。 五、二极管的选用与代换 器件参数是定量描述器件性能质量和安全工作范围的重要数据，是我们合理选择和正确使用器件的依据。参数一般可以从产品手册中查到，也可以通过直接测量得到。下面介绍晶体二极管的主要参数及其意义。 最大正向电流ＩOM 它是二极管允许通过的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电流小于ＩＦ, 如超过ＩＦ, 二极管将过热而烧毁。此值取决于ＰＮ结的面积、材料和散热情况。 2)最大反向工作电压ＵRM 这是二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时, 二极管可能被击穿。为了留有余地, 通常取击穿电压的一半作为ＵＲ。  3)反向电流ＩR 指二极管未击穿时的反向电流值。此值越小, 二极管的单向导电性越好。由于反向电流是由少数载流子形成, 所以ＩR 值受温度的影响很大。 4)最高工作频率ｆM ｆM的值主要取决于ＰＮ结结电容的大小, 结电容越大, 则二极管允许的最高工作频率越低。 图1-1 晶体二极管结构示意图及电路符号 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 （a）点接触型 负极引线 （b）面接触型 N型锗 PN结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 P N 型支持衬底 负极引线 （c）平面型 P N P 型支持衬底 正极引线 图1-2 二极管的结构 图1-3 二极管的伏安特性曲线