磁敏传感器及应用 .pptVIP

模块五 磁敏传感器及应用 任务一 霍尔元件 任务二 霍尔元件的特性参数 任务三 霍尔集成电路 任务四 霍尔传感器的应用 模块五 磁敏传感器及应用 任务一 霍尔元件 1、霍尔效应 置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势。 霍尔效应演示 霍尔元件 在垂直于外磁场B的方向上放置一导电板，导电板通以电流I，方向如图所示。导电板中的电流使金属中自由电子在电场作用下做定向运动。结果使金属导电板内侧面积累电子，而外侧面积累正电荷，从而形成了附加内电场，称霍尔电场 。 2、霍尔元件基本结构 霍尔元件的结构很简单，它是由霍尔片、四根引线和壳体组成的，如图所示。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，引出四根引线：1、1‵两根引线加激励电压或电流，称激励电极（控制电极）；2、2‵引线为霍尔输出引线，称霍尔电极。霍尔元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装的。在电路中，霍尔元件一般可用两种符号表示，如图所示。 任务二 霍尔元件的特性参数 1、输入电阻R I 霍尔元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值从几十欧到几百欧，视不同型号的元件而定； 2、输出电阻Ro 两个霍尔电势输出端之间的电阻称为输出电阻，它的数值与输入电阻同一数量级； 霍尔元件的特性参数 3、最大激励电流I m 由于霍尔电势随激励电流增大而增大，故在应用中总希望选用较大的激励电流； 4、灵敏度KH KH = EH /（IB），它的单位为mV/（mA?T）； 5、最大磁感应强度BM 磁感应强度超过BM时，霍尔电势的非线性误差将明显增大； 霍尔元件的特性参数 6、不等位电势 在额定激励电流下，当外加磁场为零时，霍尔输出端之间的开路电压称为不等位电势 7、霍尔电势温度系数； 在一定磁场强度和激励电流的作用下，温度每变化1?C时霍尔电势变化的百分数称为霍尔电势温度系数。 任务三 霍尔集成电路 霍尔集成电路（又称霍尔IC）特点：体积小、灵敏度高、输出幅度大、温漂小、对电源稳定性要求低等。 霍尔集成电路分类：线性型和开关型两大类。 ??? 内部结构：前者是将霍尔元件和恒流源、线性差动放大器等做在一个芯片上，开关型霍尔集成电路是将霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门（集电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上。 任务四 霍尔传感器的应用 1）维持I、? 不变，则EH=f（B），这方面的应用有： 测量磁场强度的高斯计、测量转速的霍尔转速表、磁性产品计数器、霍尔式角编码器以及基于微小位移测量原理的霍尔式加速度计、微压力计等。 2）维持I、B不变，则EH=f（?），这方面的应用有角位移测量仪等。 3）维持? 不变，则EH=f（IB），即传感器的输出EH与I、B的乘积成正比，这方面的应用有模拟乘法器、霍尔式功率计等。 霍尔转速计数原理 * 生物机电 霍尔元件是 一种四端元件 磁敏元件是对磁场敏感的各种物理效应电子元件。它包括磁敏电阻、磁敏二极管、磁敏三极管、霍尔元件等产品。 霍尔元件是由半导体材料制成的磁敏元件，因其利用霍尔效应的原理，故称为霍尔效应磁敏元件，广泛用于电磁、压力、加速度、振动等方面的测量。 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。 霍尔效应 霍尔元件的主要外特性参数 最大磁感应强度BM 上图所示霍尔元件的线性范围是负的多少高斯至正的多少高斯？ 线性区 线性型三端 霍尔集成电路 开关型霍尔集成电路 开关型霍尔集成电路是将霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门（集电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上。当外加磁场强度超过规定的工作点时，OC门由高阻态变为导通状态，输出变为低电平；当外加磁场强度低于释放点时，OC门重新变为高阻态，输出高电平。较典型的开关型霍尔器件如UGN3020等。 开关型霍尔集成电路的外形及内部电路 OC门 施密特 触发电路 双端输入、 单端输出运放 霍尔 元件 开关型霍尔集成电路（OC门输出）的接线 请按以下电路，将下一页中的有关元件连接起来. 霍尔高斯计（特斯拉计）的使用 霍尔元件 磁铁 霍尔传感器用于测量磁场强度 霍尔元件 测量铁心 气隙的B值 霍尔转速表 在被测转速的转轴上安装一个齿盘，也可选取机械系统中的一个齿轮，将线性型霍尔器件及磁路系统靠近齿盘。齿盘的转动使磁路的磁阻随气隙的改变而周期性地变化，霍尔器件输出的微小脉冲信号经隔直、放大、整形后可以确定被测