纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池.pdfVIP

张心强辱。蚺米硅薄膜嗣备殛Hrr太匿熊塑煎 纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池。 张心强1，张维佳1，武美伶1，贾士亮1，刘浩1，李国华2 (1．北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心，北京100083I 2．中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，北京100083) 摘要：在较高工作气压(332．5～399Pa)下，采用等 2沉积机理 离子增强化学气相沉积(PEcVD)工艺稍备了优质的 奉征蚋米硅薄膜厦掺磷的蚋来硅薄膜，并采用X射线 高氧稀释的siH。生长纳米硅薄膜的热力学反应 衍射(xRD)、拉曼散射(Rmn)潮试技拳对吴进行了方程式(1)为”： 测试和分析。姑果表明蚺米硅薄膜的XRD谱中存在 (111)、(220)和(331)峰住iRamn谱中显示出其薄膜 n m 中的晶粒的天小(2～5m)符合蚋米矗的要末。将稍 (1) l H／hp 上式中n、r2表示两个反应方向的化学反应速率。 备的蚋米硅薄膜初步用于栅极／ITO／n_nc-Si l 1表示的是由气相到固相的成膜过程，2表示反应基在 Si H／p—c_si／Al／Ag结构的异质蛄(HIT)太阳能电 衬底上化学反应的逆过程，即腐蚀过程——等离子体 池，开路电压(V0)选404mV，短路电流密度(几)可达 中[H]基，将薄膜表面上生成的弱S卜。Si键破坏。由 到34．2mA／cn，(AMl．5，100mW／cm2，25℃)。 关键词：纳米硅；薄膜；PECVD；HIT；太阳能电池(1)式可以看出成膜与否主要取决于，。、^那个方向占 中圈分类号：TM914．4 文献标识码：A 有优势。显然，rz过大对成膜速度不利，但是有利于成 膜质量，因为[H]可将弱的S卜·Si键断开，而保留下结 文章缩号：1001—9731(2007)10一174l—04 1引育 比较稳定。要获得高沉积速率、高质量的纳米硅薄膜t 纳米硅薄膜是由大量无序排列的si微晶粒和晶 需对n、r2综合考虑。 t 问界面组成的一种低维人工材料。其中晶粒的平均大 对nc-siH膜的形成可以作如下定性描述m】： 当SiH。从气相输运到衬底表面后，便以确定的迁移速 小为d。一2～6m，晶面区(内存大量的H)的宽度大小 为2～4个原子层。晶态比约占膜体积的50％。近年度在衬底表面移动，直到它们找到一个适宜的格点位 来，其独特的结构和新颖的物理性质，如电导率高、电 置才被吸附在衬底表面，从而成为一个S．细徽晶粒的 导激活能低、光热稳定性好、光吸收能力强、光学能晾 生长点，之后开始形成si—Si键，其后再由一系列的Si 宽化、压阻系效大、光致发光等，而且还具有明显的量 原子按一定取向键合成核。如果在晶核形成的过程 子尺寸效应，引起了人们的极大兴趣Ⅱ“]。现已成功 中．某一方向上出现了畸变的si—si键，即弱Si—Si 地研制了纳米硅异质结二极管以及正展开纳米硅薄膜 键，其后由[H]基将此键合状态蚀刻掉，则在这方向上 太阳电池的研镪，由此展现了纳米硅薄膜器件的广阔 的晶粒生长将会停止．如果在其它方向上生长晶粒与 应用前景【”。 由气相siH：产生畸变作用，则在这些方向上的晶粒生